基于二维 (2D) 纳米材料的柔性存储设备是下一代可穿戴市场的关键元素。因为它在数据存储、处理和通信中起着至关重要的作用。用几纳米 (nm) 的 2D 纳米材料实现的超薄存储器件可以显着增加存储密度，从而通过实施 2D 纳米材料开发出灵活的可变电阻存储器。然而，由于纳米材料的弱载流子俘获特性，使用传统二维纳米材料的存储器具有局限性。

(ac) hBN 转移到 ITO/PET 基材 (d) hBN/ITO/PET 基材；(e) 使用旋涂技术形成 QDs 单层；(fg) hBN 转移到 QD/hBN/ITO/PET 衬底 (h) 通过使用热蒸发工艺在 hBN/QD/hBN/ITO/PET 上沉积 Au 电极；(i) 设备的照片。图片来源：韩国科学技术研究院 (KIST)

在韩国科学技术研究院先进复合材料研究所（KIST，Yoon Seok-Jin 院长），由 Dong-Ick Son 博士领导的研究小组宣布开发出一种基于异质性的透明柔性存储器件——低维超薄纳米结构。它形成了单层零维 (0D)量子点并将其夹在两个绝缘的二维六方氮化硼(h-BN) 超薄纳米材料结构之间。

该研究团队通过将具有优异量子限制特性的 0D 量子点引入有源层，控制 2D 纳米材料中的载流子，实现了一种可能成为下一代存储器候选者的器件。基于此，零维量子点被塑造成垂直堆叠的复合结构，夹在二维六边形 h-BN 纳米材料之间，以生产透明且灵活的器件。因此，开发的设备即使在弯曲时也能保持 80% 以上的透明度和记忆功能。

Dong-Ick Son 博士表示，通过在绝缘六方 h-BN 上提出量子点堆叠控制技术，我们为超薄纳米复合结构研究奠定了基础，并显着揭示了制备和驱动原理，而不是导电石墨烯。然后他补充说，我们计划在未来将用于异质低维纳米材料组合的堆栈控制技术系统化，并扩大其应用范围。

该研究发表在复合材料 B 部分：工程上。