JEDEC组织正式发布了新一代高带宽内存HBM3的标准规范，编号JESD238。

HBM3标准继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，具体包括：

－ 传输数据率在HBM2基础上再次翻番，每个针脚（pin）的传输率为6．4Gbps，配合1024－bit位宽，单颗最高带宽可达819GB／s。

如果使用四颗，总带宽就是3．2TB／s，六颗则可达4．8TB／s。

－ 独立通道数从8个翻番到16个，再加上虚拟通道（pseudo channel），单颗支持32通道。

－ 支持4／8／12－high TSV硅穿孔堆栈，未来会拓展到16－high——可以理解为4－16颗内部堆叠。

－ 每个存储层容量8／16／32Gb，单颗容量起步4GB（8Gb 4－high）、最大容量64GB（32Gb 16－high）。

－ 支持平台级RAS可靠性，集成ECC校验纠错，支持实时错误报告与透明度。

－ 提升能效，主接口使用0．4V低摆幅调制，运行电压降低至1．1V。

NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企业都第一时间表达了对HBM3内存的支持。

早在去年8月，SK海力士就提前发布了首批HBM3产品，单颗容量16／24GB，12－high堆叠，带宽初期819GB／s，最近更是提升到了896GB／s。

SK海力士首发的HBM3

HBM2e

说到SK海力士，日前发布了2021年Q4财报，当季营收达12．377万亿韩元（1027．10亿美元），上一年同期为7966亿韩元，上一季度为11．805万亿韩元，单季营收首次冲上12万亿韩元。

在SK海力士的业务中，DRAM内存业务占总收入比例为71％，NAND业务占总营收比例为25％，MCP业务占比19％，其他业务占比约4％。

在该季度中，SK海力士的内存技术取得了重要突破，开始量产基于EUV技术的1αnm工艺DDR5内存芯片，核心容量24Gb，也就是3GB，轻松实现单条容量24GB甚至48GB的内存条。

1αnm工艺内存虽然使用的EUV光刻机成本高昂，但是有助于提高生产效率，是无法绕过的升级过程，2022年中SK海力士也会继续扩大1αnm工艺内存生产，基于EUV技术的1αnm产量预计到年底达到25％。

当然，眼下的问题还是快点普及DDR5。

近日，芝奇发布了一款高频率、大容量的DDR5内存套装，6400MHz、32GB的规格堪称梦幻，时序也非常喜人。

新内存包括Trident Z5 RGB幻锋戟、Trident Z5炫锋戟两个版本，频率都达到了6400MHz，容量均为单条16GB、双条32GB组成套装。

同时，时序成功控制在CL32－39－39－102，甚至比几乎所有DDR5－4800起步频率的产品还要优秀，唯一代价就是电压加到了1．4V。

新内存专门针对Intel 12代酷睿、Z690平台设计，搭配i7－12700K、ROG MAXIMUS Z690 HERO成功通过了烤机测试。

近期上市，价格未公布。