存储芯片涨价潮大有愈演愈烈的态势。多项存储芯片都已经/即将涨价，包括DRAM及非易失性存储芯片NAND闪存、EEPROM。

1、NAND闪存方面，涨价潮源头在于西部数据与铠侠合资厂污染事件。

美光、西部数据两家存储龙头已双双宣布，全线涨价；群联也表示将跟进涨价。值得注意的是，美光并未受污染事件波及，但公司却是目前已知价格涨幅最高的厂商。业界人士认为，由于合约价是每月商议，美光本次涨价几乎是实时生效，预计本月初就将全面反映。

本轮涨价潮中，NAND闪存各型号均已提价。其中，64Gb 8Gx8 MLC闪存合约涨幅最大，且价格已创下三年来新高。

还有业内人士表示，短期来看，新一轮涨价潮才刚刚开始，持续时间至少三个月。

聚辰股份、普冉股份双双公布调研纪要，拜访机构均超过百家，且调研日期均为业绩快报公布后的次交易日。

其中，聚辰股份去年扣非净利润同比增长超40%，增长主因之一为“适当调整产品价格体系”；普冉股份已从今年1月起，调涨摄像头模组系列EEPROM产品价格，同时对EEPROM价格保持谨慎偏乐观的态度。

DRAM价格也在“蠢蠢欲动”。

2月利基型DRAM合约价环比上涨2%-5％，其中，关键的x16规格4Gb DDR3颗粒、x16规模2Gb DDR3颗粒合约价均创下近5个月来新高。台湾工商时报指出，由于供给吃紧，利基型DRAM合约价涨势有望延续到下半年。

值得注意的是，今早半导体板块震荡走强，其中兆易创新、北京君正等多只存储芯片个股盘中涨幅超过5%。

2、车规级应用成共同拓展方向

随着价格一同攀升的，还有汽车智能化、电动化带来的存储需求。

A股汽车存储龙头北京君正预计去年实现归母净利润8.08-9.84亿元，同比增长1004%-1245%；Q4单季度实现归母净利润1.7-3.5亿元，环比增长-38.4%-24.6%，同比增长240.3%-587.5%。业绩增长的一大驱动力便是汽车终端需求拉动存储芯片放量，汽车电子领域收入持续增长。

另外，多家企业已展开相应布局。

东芯股份日前接受机构调研时透露，在车规级产品方面，公司在NAND、NOR、LPDDR产品上均有布局。车规的验证过程比较长，从产品端已经开始做尝试。另外，公司也在推进与车规平台企业及车规电子集成商合作，建立了定期工作机制。目前车规类产品顺利推进。目前已可为客户提供车规NAND和NOR样品。

3、中国厂商加速扩产

存储芯片应用领域广泛，常见的电子设备基本都需使用存储芯片，从存储芯片细分产品来看，DRAM和NAND Flash占据了存储芯片95%以上的市场份额。

中国是全球存储芯片最大市场。据报道，中国一年3000亿美元的芯片进口额中，有超过800亿美元为采购内存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。

在国际竞争格局上，存储芯片长期被韩、日、美等国企业垄断。其中在DRAM领域，三星、SK海力士及美光占据主导地位。

2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一；SK海力士在出货减少的情况下略微缩减至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨头的市场占有率总计超过94%。

NAND Flash领域，三星、铠侠、西部数据、美光、海力士、英特尔为行业龙头。据民生证券7月统计，中国是全球第二大NAND Flash市场，占比超过31%，但本土供应市占率不足1%。

11月18日，时创意董事长倪黄忠在接受时代周报记者采访时表示，中国存储芯片行业起步较晚，此前，在DRAM和NAND Flash领域均没有国内厂商，近年来，以长江存储、长鑫存储为代表的国内龙头厂商开始崛起。

“作为闪存行业的新人，长江存储用三年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。”长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，去年4月，长江存储宣布128层QLC 3D NAND 闪存研发成功。

中信证券在研报中称，长江存储是国内3D NAND Flash 存储器头部厂商，一期项目于2019年产能达到2万片/月，2020年扩产至5万片/月以上水平，预计一期项目未来将达到10万片/月产能，另外二期土建已于2020年6月开工，两期产能规划共30万片/月。

长鑫存储作为国内DRAM存储器龙头，三期总产能规划37.5万片/月。中信证券预计，其产能将从2021年初4万片/月扩张至2022-2023年12.5万片/月，同时2022-2023年有望启动二期建设（12.5万片/月）。

4、国产芯片向高端进阶

对存储厂商而言，跑得够不够快是一个需要持续思考的问题。

以DRAM为例，由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的单晶圆位元增长外，其他从1Xnm转至1Ynm、或者1Ynm转至1Znm制程，增长率已收缩至15%以内。

华存电子技术总工程师魏智汎告诉时代周报记者，近几年，国内外企业级存储主控芯片市场发展迅速，竞争激烈，华存电子不仅要面对英特尔、三星、美光等闪存原厂，还要面对美满电子、Microsemi等传统主控大厂的竞争。

国产存储芯片必须从低端向高端进阶。东芯半导体副总经理陈磊表示，作为本土芯片供应商，东芯半导体目前40%以上的员工都是研发工程师，通过自主的产品设计，以及与国内晶圆厂和封装测试厂的合作，已经打造出一条本土供应链体系。

在市场层面，5G、汽车电子、可穿戴设备、物联网等新兴产业及新兴市场，给存储芯片带来旺盛需求，也对产品性能提出新要求，包括精进工艺制程、提升产品可靠性、缩小封装尺寸等，促使产品快速迭代。

这也对整个产业链提出新要求。倪黄忠表示，1.0时代，模组厂商只能做一些简单的加工测试，开发能力较弱，产品以Micro SD卡、U盘等为主；2.0时代，模组厂商成为产品和技术的跟随者，在行业内有一定知名度，但销售依然难突破；步入3.0时代，模组厂商要从芯片硬件到软件、固件的开发，延展到系统级开发以及整个设备自动化产线进行改造，有全面的技术开发能力。

“虽然摩尔定律在半导体的很多领域受到了挑战，但在闪存这个领域还在继续发挥作用。”西部数据副总裁兼中国区业务总经理刘钢介绍，摩尔定律作用下，闪存密度和性能迅速提高，资本效率也大幅增加。

刘钢分析，摩尔定律在闪存领域有三个维度可以发挥作用：一是线宽，在同一层中横向提高密度；二是堆叠，在纵向上发展；三是在同一单元里通过改变逻辑单元的设定，从原来的SLC（Single-Level Cell，单层式存储单元）到MLC（Multi-Level Cell，双层式存储单元）、TLC（Trinary-Level Cell，三层式存储单元）、QLC（Quad-Level Cell，四层式存储单元），在每个单元都可以增长。

虽然，当前存储芯片市场主要由海外巨头公司掌握，国产公司处于相对落后状态，但国产存储芯片已在各个细分行业展开追赶，并获得显著进展。“本土存储厂商正奋起直追，企业之间形成了密切且相互依存的产业生态链，国产替代正当时。”陈磊表示。

文章来源： 科创板日报，时代周报