近日，铠侠和西数正式宣布，双方已敲定一项正式协议，共同投资位于日本三重县四日市的Fab7（Y7）制造工厂的第一阶段工程。随着Y7厂一期建设的完成，合资工厂将在今年秋季开始实现初步生产。

据悉，此次合资投资为四日市工厂增加了第六个闪存制造工厂，巩固了其作为全球最大闪存制造基地的地位，Y7厂的第一阶段将生产3D快闪存储器，包括112层、162层生产及未来制程。

铠侠和西部数据将根据市场趋势，通过联合开发3D闪存和联合投资，继续发挥最大协同效应，增强各自的竞争力，扩大在存储领域的领先地位。

铠侠总裁兼执行长Nobuo Hayasaka表示，通过此次对Y7厂的联合投资，进一步深化与西数的战略伙伴关系，由于社会快速数字化，加速存储器产品的应用与需求，公司将继续利用技术伙伴关系和规模经济，开发生产顶尖半导体产品。

西数技术与战略总裁Siva Sivaram 指出，“这次Y7共同出资加强与铠侠的积极关系，突显了其在存储器方面巨大的全球市占。”透过双方战略合作关系，有望促成领先技术导入，提高制造和研发能力规模。

1、NAND闪存芯片发展现状如何？

随着信息化浪潮的发展，对海量数据的处理、存储提出了越来越高的要求。NAND闪存具有更大的存储容量、更高的擦写速度和更长的寿命，是实现海量存储的核心，已经成为大容量存储的主要选择。

NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC，从结构上又可分为2D、3D两大类。其中，在三星、SK 海力士等原厂在3D技术快速发展的推动下，3D NAND 迅速普及且产出比例持续攀升，现已成为主流制程。

当前，对堆叠层数的向上突破，也是各原厂技术竞争的主赛道之一。走在最前面的是美光和SK海力士，它们已相继突破176层NAND技术。另外，三星也有望于今年第一季度量产176层NAND。铠侠与西部数据则走到了162层技术的节点，英特尔最新为144层，国内的长江存储最新为128层。

未来，大容量、高堆叠层数的 3D NAND 也将是行业的发展趋势。再往下，NAND闪存厂商正向着200层以上的芯片产品进军，这将是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。

在NAND闪存市场中，三星、铠侠、美光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家长期垄断者全球95%以上的份额。这波涨价潮之下，最先受惠的无疑是头部存储厂商。另有业内人士分析认为，“最终，谁愿意通过价格激励来优先考虑新客户，并积极升级最新技术，2022 年将是供应商实现35%以上增长的好时机。”

2、国产化之路进展如何？

从上文分析可得知，当前主要是国际原厂引领3D NAND 技术发展，并形成了较为厚实的技术壁垒。此外，行业市场格局也高度集中，份额几乎都被头部存储厂商所占据。中国是全球第二大NAND市场，占比超过31%，但大陆自制率几乎为0%。因此，发展国产的存储产业势在必行。

所幸，以长江存储为首的厂商得到政策以及大基金等的扶持，近年来在NAND技术上也发展迅速，取得一定的突破。

2018年8月，长江存储发布Xtacking技术，在闪存技术架构上成功实现突破性创新。对比传统的3D NAND芯片，采用Xtacking技术可使研发周期缩短三个月、生产周期缩短20%，闪存的最高存取速度更将大幅提升至DDR4内存的水平。同年底，长江存储成功量产中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片。

2019年，长江存储开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器，这也是国内首个64层3D NAND存储器。而后，长江存储索性跳过96层3D NAND闪存、直接跨步到128层3D NAND闪存。

作为闪存行业的新人，长江存储仅用了 3 年的时间就实现了从 32 层到 64 层，再直攻 128 层的技术跨越，其正以最大的努力、最快的速度追赶国际一线存储芯片大厂。

据最新消息报道，尽管进入NAND闪存市场较晚，但长江存储在提高128层3D NAND闪存的生产收益率方面取得了进展。另据业内消息人士称，长江存储已将64层3D NAND闪存制造的收益率提高到成熟水平。据悉，长江存储有望在2022年上半年实现月产量增至10万片的目标。

而据上述业内人士陈庆的了解，长江存储在其128层技术面临一些挑战以及2019年FAB 1的增长慢于预期之后，目前的进展顺利。“FAB 1已接近完工，FAB 2预计将在今年晚些时候投入使用，因此随着 128层产能的增加并获得新客户的认可，长江存储的影响将越来越大。”他补充到。此外，他还透露：“长江存储正通过新的智能手机客户以及试图通过PC和数据中心客户获得更多的市场资格。”

除了长江存储之外，还有兆易创新、东芯半导体、北京君正等国内存储企业在NAND产品上有所布局。

其中，兆易创新也在不断推动NAND产品进程，据介绍该公司目前SLC NAND成熟工艺节点为38nm，24nm工艺节点已经实现量产，目前正在向19nm工艺节点推进，产品覆盖从1Gb至8Gb主流容量，电压涵盖1.8V和3.3V，提供传统并行接口和新型SPI接口两个产品系列。

此外，东芯半导体聚焦于中小容量存储芯片，可以同时提供NAND、NOR、DRAM等产品，据悉，该公司设计并量产的24nm NAND、48nm NOR均为国内目前已量产的最先进的NAND、NOR工艺制程。

结语：据chinflashmarket预测，2020-2025年，全球NAND闪存市场将以30%的复合年增长率增长，而数据中心市场在未来五年内将以39%的复合年增长率增长。展望未来，数据中心的需求将仍然强劲。而于此之中，中国存储厂商如何加快技术研发进度，争取拿下更大的市场份额，是它们需直面的现实难题。

文章来源： 全球半导体观察，爱集微APP