据路透社报导，近期，马来西亚出现大缺工，当地半导体产业人力缺口高达1.5万人，已有厂商被迫停接新订单，MOSFET等功率元件供应更吃紧。

报道称，马来西亚因新冠肺炎疫情而暂缓招募外借劳工的禁令，虽已于2月解除，但政府核准进度迟缓，与印尼和孟加拉就劳工保障的谈判又一再拖延，外借劳工迟迟无法大量回流，导致马来西亚大缺工。

业界指出，马来西亚是全球半导体生产重镇，英飞凌、安森美、意法半导体、恩智浦等众多IDM厂都有在当地设厂，主攻MOSFET等功率半导体、整流器等产品。现阶段MOSET供应持续吃紧，马来西亚当地IDM厂因缺工而无力承接新接单，恐使得MOSFET交期再度拉长，相关订单或将流向台厂，富鼎、尼克森、大中等业者有望迎转单潮。

业者分析，MOSFET主要以8吋及6吋晶圆生产，目前产能依旧吃紧，加上国际IDM逐步将消费性MOSFET产能转至高阶市场，使得台厂主攻的消费性MOSFET更加供不应求，预期此次MOSFET缺货周期将较上次大缺货（2018年）时更长。

虽然现阶段消费性笔记本电脑市场需求放缓，不过商用及电竞笔记本市场强劲，MOSFET持续供不应求，MOSFET厂本季营运有机会持续攀升，下半年订单也有望再成长，全年营运缴出历史新高可期。

业界分析，由于国际IDM大厂产能转至5G、电动车等领域，使得其他应用的MOSFET产能受排挤，预期此状况将延续到今年底，MOSFET市场不致于出现景气反转向下的状况。

中低压市场有望替代，高压市场取得突破

根据 IHS 的数据，中国 MOSFET 市场规模约 26.40 亿美元，市场被欧美厂商所把持，国内最大的 MOSFET 厂商是英飞凌，2017 年在中国市场占比为 26.90%，前 5 大厂商市场占比为 64.00%，MOSFET 市场集中度较高。国内厂商士兰微市场占比为 2.5%，排名第十。建广资本收购恩智浦的标准业务部门后成立了 Nexperia（现已经被闻泰收购），公司承接了恩智浦的 MOSFET 业务，2017 年 Nexperia 在国内市场占比为 3.2%，排名第八，在全球市场排名第十。士兰微与 Nexperia 市场占比总计为 5.7%，国产替代空间巨大。当中中低压市场国外大厂退出，国内厂商有望承接市场份额。

瑞萨电子是全球最大的中低压MOSFET厂商，公司在该领域市场占比为40%，2013 年瑞萨率先退出中低压 MOSFET 领域，其他厂商也纷纷开始向毛利率较高的高压 MOSFET 领域转型。中国是全球最大的消费电子生产国，对中低压 MOSFET需求巨大，目前士兰微的产品已经覆盖了白色家电领域，国内厂商有望承接中低压MOSFET 领域的市场份额，实现国产替代。

功率芯片的国产替代进程正在加速，主要有以下四个原因：

1、由于MOSFET 生产工艺正在逐渐放缓，加之国内企业在产品的建设和研发方面投入加大，国内外的技术差距正在缩小；

2、国外厂商逐步退出了中低端市场的竞争，这块蛋糕将有机会被国内企业所承接；

3、全球环保政策收紧，汽车电动化的需求日益迫切，燃油车转向电动车的趋势明显，功率半导体的使用量激增；

4、芯片缺货涨价的背景下，进口的功率芯片越发昂贵，国产替代的空间可以更进一步。

功率半导体厂商大多采用IDM模式，即有完整的晶圆厂、芯片制造厂和封装厂，垂直整合优势明显，对成本和质量控制能力很强，实力强劲。中国大陆的厂商和欧美一样大多是IDM 模式，而Fabless（无工厂芯片供应商）为少数，与IDM对比存在资产较轻，但同时也无法完成IDM 模式下的工艺协同优化。

闻泰科技

8月15日，闻泰科技发布公告称，英国当地时间8月12日，公司全资子公司安世半导体收到英国公司注册处的股东权益确认通知书，确认了安世半导体持有NWF母公司NEPTUNE 6 LIMITED 全部股东权益。截至本公告日，本次交易过户手续已全部完成，公司间接持有NWF 100%权益。

NWF是一家位于英国南威尔士的一家芯片制造商，于1982年创立，是目前英国最大芯片制造商。目前月产能超过3.5万片(最大产能可扩产至4.4万片)8英寸晶圆，工艺制程0.18m~0.7m，产品主要应用于汽车行业的MOSFET、IGBT芯片以及CMOS、模拟芯片，此外还具备化合物半导体(SiC和GaN)开发能力。

此前，闻泰科技收购欧洲分立器件巨头安世半导体，安世先进的封测技术和高功率MOSFET 产品被引入中国，这对闻泰科技的业绩增长和中国半导体行业整体水平的提升具有重要意义。

士兰微

士兰微是目前国内为数不多的以IDM 模式(设计与制造一体化)的综合型半导体产品公司。公司从集成电路的芯片设计业务开始，并延伸至功率器件、功率模块和MEMS 传感器的封装领域，建立了较为完善的IDM 经营模式。聚焦于业务层面，会发现公司的两大核心业务看点集中在功率器件和集成电路，两块业务总和占比保持在80%以上。

在IGBT器件领域，士兰微是国内唯一进入全球市占率前十的企业，目前占比2.2%，且有望持续渗透。

落脚于“国产替代”半导体芯片话题，量价齐升则为士兰微业绩大幅增长的主要原因。士兰微今年年初就对部分分立器件产品价格进行调整（所有MOS类产品、IGBT、SBD、FRD、功率对管等），今年6月份士兰微又对一些产品价格进行上调，且伴随着公司订单饱满，整体产能利用率较高，引来了今年一季度公司业绩的爆发式增长。

华润微

8月18日晚间，功率半导体龙头华润微发布半年报，2021年上半年实现营业收入44.55亿元，同比增长45.43％。

根据半年报，参照车业项目流程，华润微加快了150V 先进中低压MOS 产品的立项研发，车规级产品体系能力持续完善提升，并积极与国际一流大厂和整车厂对接交流。通过与核心客户深入合作，华润微能够积极切入5G、新能源等高端领域，有序推进产品立项、送样测试及批量供应，不断推进高端应用领域的国产化进程。

上半年华润微携手国家大基金与重庆西永规划建设12寸中高端功率半导体产线，项目建成后预计将形成月产3万片12吋中高端功率半导体晶圆生产能力，并配套建设12吋外延及薄片工艺能力。多位行业分析师认为，上述新产能的逐步落实，将助力华润微覆盖功率器件全产业链环节，保障公司未来业绩增长动力。

立昂微

立昂微主要从事半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售，以及半导体分立器件成品的生产和销售。公司主营业务为半导体分立器件芯片的研发、生产和销售，主要产品包括肖特基二极管芯片、MOSFET 芯片等。

自2015年收购同一实际控制人控制下的公司浙江金瑞泓后，公司的主营业务延伸至上游的半导体硅片的研发、生产和销售，半导体硅片主要产品包括硅研磨片、硅抛光片、硅外延片等。

浙江金瑞泓所生产的半导体硅片产品广泛应用于集成电路、半导体分立器件等领域，浙江金瑞泓已经成为ONSEMI、AOS、日本东芝公司、台湾汉磊等国际知名跨国公司以及中芯国际、华虹宏力、华润微电子等国内知名企业的重要供应商。

捷捷微电

从事功率半导体分立器件的研发、设计、生产和销售。今年三季度营收超6.9个亿，利润超1.9个亿。同比出现了超40%的增长。公司深耕晶闸管领域，至今已有25年，目前正在稳扎稳打将业务扩展至功率器件全领域。

捷捷微电通过IDM 模式公司晶闸管和防护器件产品已实现品质和性价比优于竞争对手，实现部分进口产品的国产替代。当前大陆功率半导体行业正处在下游需求稳步增长和本土企业逐步从低端向中高端替代的大趋势中，通过吸收优秀团队和人才来扩充产品边界，无锡团队在进行VD MOS，SJ MOS 等产品研发，上海团队在进行SGT MOS 产品的开发，产品对标国际领先厂商。

公司MOS 产品业务19年收入超0.7亿元，预计2020年年增速超过30%，根据相关数据，MOSFET 是功率器件市场最大的细分领域，2018年全球MOSFET 市场规模为59.61亿美元，占功率器件市场约40%，市场空间是晶闸管的十倍。

扬杰科技

扬杰科技集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

扬杰科技称，公司凭借长期的技术积累、持续的自主创新能力及成熟的市场推广经验，已是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业，公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率。

首款国产15V驱动SiC Mosfet已通过车规级测试

国内头部碳化硅器件研发企业清纯半导体发布了国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品。它填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白，使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

这款1200V 75mΩ SiC Mosfet已经通过了车规级测试，且获得了国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续还将陆续推出该平台下的系列规格产品。

SiC Mosfet作为应用最广泛的碳化硅功率器件，早已在国内相关行业龙头企业——比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中广泛使用，而且需求在迅速扩大。不过，SiC Mosfet相关核心技术始终未被突破，在产品性能和可靠性方面与国际主流产品仍有较大差距，国内市场主要被国外厂商占据。

该器件主要有18V驱动和15V驱动两个类型。其中，15V驱动产品优势更加明显：客户采用15V驱动的产品，一是系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗；三是国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易。

但是，15V驱动的产品开发难度更大，对产品设计水平和制造工艺的要求也更高。目前，国内已有个别厂家能够少量提供 18V 驱动的 SiC Mosfet 产品，但国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiC Mosfet，加快对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品的替代。这进一步拉开了与国内产品的技术代差。

此次清纯半导体发布的15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，首次填补了国内该系列产品空白，带领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

相较国际主流产品，清纯半导体推出的15V驱动1200V SiC Mosfet器件产品，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗的特点，综合损耗更小且效率更高。

文章来源：经济日报，硬之城，36氪