随着第三代半导体技术的发展和普及,目前市场上量产的氮化镓功率器件,主要有 E mode GaN 产品(即增强型GaN)和 D mode GaN 产品(即耗尽型GaN)。
增强型 GaN 的驱动电压范围比较窄,典型值只有6V,最高不能超过7V,因此驱动电压余量比较小,通常需要 RC 加 Zener 电路来进行钳位与分压来驱动 GaN,驱动电路比较复杂,增加了驱动电路设计难度,降低了驱动的可靠性;或者使用专门的驱动电压为6V的驱动 IC 来直接驱动,这增加了 IC 的选择难度。
耗尽型 GaN 在内部集成串联了一个低压增强型NMOS实现常关,通过控制串联的 NMOS 来实现开关,行业内称为 Cascode 结构,也称为共源共栅型;Cascode 结构其驱动兼容传统 NMOS 控制器,相比于增强型氮化镓,无需对电路重新设计,同时保留了氮化镓低开关损耗以及低压 NMOS 的低栅极电荷等优势。
放眼目前市面上量产的 Cascode GaN 器件,其DFN封装形式都不尽相同,各厂家的 GaN 器件之间无法做到 Pin to Pin,难以引入第二供应商。
能华微电子致力于 GaN 的研发、设计、外延、制造与生产;销售可用于高性能电源转换应用的氮化镓半导体功率器件,是全球少有能同时提供增强型、Cascode 结构氮化镓器件和耗尽型直驱动方案的IDM公司。
针对目前客户在快充等消费级小功率 GaN 应用中的痛点,能华最近推出几款能同时兼容增强型GaN器件(6V)和 Si MOSFET 驱动(12V)的氮化镓器件。下面充电头网为各位介绍一下几款新品的特色亮点。
能华 CE65H160DNHI 是一款 DFN8*8 封装的氮化镓开关管,耐压650V,瞬态耐压900V,导阻为160mΩ,栅极支持±20V耐压,阈值电压典型值为2V,比一般增强型 GaN 高0.5V-0.8V,系统可靠性更高。
来源:充电头网 Mino
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