光刻胶在做完后续成形工艺之后，PR就不需要了，而且还要去除的很干净，减少多后续工艺的影响。

去除光刻胶的方法主要有干法和湿法，湿法是主流，但是对于一些ICP或者离子注入工艺后发生“硬化”的光刻胶，湿法就会出现去胶不干净的情况。

 因此就有了干法刻蚀去除光刻胶的技术，从20世纪70年代末开始，干法工艺采用灰化Ashing来去除光刻胶。

灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。

在干法去除机中，等离子体由微波，射频和UV臭氧源共同作用产生。

也有用CF4的。

工艺条件也和设备不同有关，一般处理10min～20分钟，根据产品特性而定，

有时候也先用干法刻蚀去胶再用湿法去胶清洗。

但是有时候还是不能去除干净，就只能用笨方法擦了，大家有什么好方法也可以互相交流。