220803芯报丨成功研发!SK海力士全球首发最高层238层4D NAND闪存

Ai芯天下 2022-08-04

闪存海力士车载摄像头

572 字丨阅读本文需 1 分钟

成功研发!SK海力士全球首发最高层238层4D NAND闪存

SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示:“自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来,时隔仅1年7个月,SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。

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