光芯片“出圈”,相关技术获突破,国产替代能否“弯道超车”?

芯圈那些事 2022-09-26
4039 字丨阅读本文需 10 分钟

关于光芯片的研发,国内已经走在了前头,华为拥有了诸多的技术专利,这也被认为是芯片的“革命技术”,和目前所使用的硅基芯片,完全属于两个概念,并且在各方面的优势也较为明显。

虽然光电子器件的概念源自于通讯领域,但通过论证是可应用于整个半导体领域的,除了通讯系统之外,在工业、消费电子、汽车等等领域,均能够有着广泛且深入的应用。

官方也把光芯片评为“时代风口”,相比于之前提到的碳基芯片,光芯片存在的可能性是更大的,在这新一轮的科技革命中,国产替代能否实现逆袭呢?光芯片又能起到什么作用呢?

光芯片的概念

常见的数字芯片、模拟芯片等等属于集成电路,而光芯片则属于分立器件大类下的光电子器件,二者虽然同属于半导体领域范畴,但却有着完全不同的技术构成,集成电路是以晶体管作为载体,而光芯片则以光信号为信息载体,激光器、探测器是其重要组成部分。

而整个接受过程可以参照“光纤传输”,发射端的激光器将电信号转化为光信号,通过“光纤”传输至接收端的探测器的光芯片,随后完成光电转换的步骤,转化为可用的电信号,两头的光芯片起到关键作用,传输速度和可靠性就是由它决定的。

目前在科研领域,已经证实了光芯片的实用性,除了通讯领域之外,后续将会被转移到工业、消费电子、汽车等等主要领域,未来将会是光子大规模替代传统电子的年代,这将会成为后摩尔时代的科技革命,根据专业机构推测,到2025年全球规模将突破9000亿欧元市值。

而光通信是光芯片的核心,其中激光器芯片和探测器芯片应用最广泛,不同的技术应对着不同的使用范围,从工作原理上进行分析的话,施加一定激励方式是激光器芯片的核心,经过一系列的反应,最终形成相位和方向高度一致的光子,也就是我们常说的“发射激光”!

而探测器芯片就比较好理解了,就是常说的“光电效应”,利用“雪崩击穿效应”获得内部电流增益,促使获得更高的灵敏度,经由两个重要零部件的相互配合,形成了一个完整的光通信原理。

目前国内千兆网络服务能力的10G PON光模块火热,截止到今年的6月份,国内具备升级条件的端口已经达到了1103万个,博创科技、中际旭创、华工科技、光迅科技等中企,都具备了相对应的技术。

2022年第二季度,亚马逊、Mate、微软、谷歌这四家企业,在该领域的资本性支出( CAPEX)上达到了370亿美元,同比增长了19.9%,越来越多的企业开始重视光电产业的发展,说明光芯片已经站在了“时代的风口”上,谁能率先突破就能掌控未来的局面。

突破传统飞秒激光的光衍射极限

2022年9月14日晚间,国际顶级学术期刊《自然》发表文章,宣布南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队,发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。

论文刊登在2022年9月15日的《Nature》上

该技术突破了传统飞秒激光的光衍射极限,把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级首次缩小到纳米级,达到30纳米,大大提高了加工精度,也标志着我国科学家在下一代光电芯片制造领域实现重大突破。

相关报道强调,这一重大发明,未来或可开辟光电芯片制造新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。

立于时代风口的光芯片

根据Photonics21发布的《Market Data and Industry Report 2020》显示,自2015年以来,光子产业链全球市场规模以每年7%的速度增长。其中,2019年的全球市场规模达到6900亿欧元,预计2025年将进一步增至9000亿欧元。而在下游数字通信(数通)和电信领域双轮驱动下,光芯片拥有极大成长空间。

从行业层面来看,根据Lightcounting的统计,2020年和2021年由于新冠疫情,人们开始转向居家办公,因而对更快、更高可靠性的网络的需求更为强烈。因此虽然供应链短缺因素仍在持续,但是行业能够很大程度上克服这些问题,光芯片所在的光模块行业在2020年和2021年实现了17%和9%的增长,Lightcounting预测2022年有望再次实现17%的收入增长。

从市场上看,消费光子时代来临,集成电路将走向集成光路时代,将带来万亿美金市场。光电芯片成为消费光子时代的核心基础,苹果、华为、英特尔、思科、IBM等国际顶尖公司纷纷布局光电芯片。国内则涌现出了陕西源杰半导体、奇芯光电等一批芯片企业,面向新一代高速光通讯、光计算、光传感需求,聚焦光子材料与光子芯片研发制造,抢占新兴战略产业技术制高点。

从芯片制备角度,光芯片制备的工艺流程与集成电路芯片有一定相似性但侧 重点不同,光芯片最核心的是外延环节。光芯片的制备流程同样包含了外延、光刻、 刻蚀、芯片封测等环节。

但就侧重点而言,光刻是集成电路芯片最重要的工艺环节, 其直接决定了芯片的制程以及性能水平。与集成电路芯片不同,光芯片对制程要求 相对不高,外延设计及制造是核心,该环节技术门槛最高。以激光器芯片为例,其 决定了输出光特性以及光电转化效率。

然而,全球高端光芯片基本被国外厂商垄断。我国在高端芯片领域的自主技术研发和投入实力方面相对较弱,目前主要集中在中低端光芯片产品的研发、制造。全球主要光器件厂家均积极布局有源光芯片、器件与光模块产品,并达到 100Gb/s 速率及以上的水平。

在中兴、华为等通信设备的强势助攻下,中国成为世界上最大的光器件消费大国,市场占比约为 35%。国内企业在无源器件、低速光收发模块等中低端细分市场较强,然而以高速率为主要特征的高端光芯片技术,还掌握在美日企业手中(美、日企业占据了全球高端光芯片超过 50%市场份额,占据我国高端光芯片 90%以上的市场份额),我国高速率光芯片国产化率仅 3%左右。

华为10G 单模单纤、10km光模块

国内企业目前只掌握了10Gb/s 速率及以下的激光器、探测器、调制器芯片,以及 PLC/AWG 芯片的制造工艺以及配套IC的设计、封测能力,25Gb/s的工艺能力及产能配套都无法形成规模;单通道 25Gbps 光芯片大部分已可国产化,电芯片部分国产化,但绝大多数 25Gb/s 速率模块使用的光电芯片只能做到小批量供货,大部分还要依赖进口。50Gbps以上的光电芯片,只有很少部分器件可国产化。

从产品路线来看,布局 DFB 激光器和 PIN 探测器的厂家更为集中,而 VCSEL 的厂商较多,但由于人脸识别等传感市场的空间更多,所以仅专注于数通市场的厂家则较少。

当前中国光芯片企业已经可以实现10G及以下的DFB 、APD等光芯片进口替代,中国10G速率及以下光芯片国产化率已于2020年实现完全替代,在接入网市场已经可以实现完全自给自足,但 1577nm EML 仍依赖进口,国产化仍在进一步验证中;不过在 25Gbps 以上,尤其是EML激光器芯片依然严重依赖进口,国产化芯片仍在验证提升的阶段,大规模供应仍有待进一步突破。但值得一提的是,受益于我国 5G 规模建设的提速、光芯片政策扶持以及全球化贸易摩擦,中国光芯片企业竞争力正在快速提升。

在这样的情况之下,国内企业在做怎样的努力?

国内企业的努力

1.Lightmatter

目前钻研光子集成电路的初创企业并不少,但他们的光子计算核心原理基本相同,打造一个用于通用矩阵乘法运算(GEMM)的光子矩阵,再集成DAC、ADC、跨阻放大器(TIA)和光电探测器(PD)等其他模拟和光电器件,来替代目前深度学习和科学计算任务中的其他ASIC硬件。

Lightmatter在集成度上已经做到了很高的水平,甚至推出了8"x8"的晶圆级光子芯片。Lightmatter给出的性能指标也相当夸张,配有4个Envise光子芯片的服务器里,同时运行BERT机器学习模型,Envise服务器能实现比英伟达DGX-A100高三倍的推理性能和7倍以上的能效比。

Lightmatter在技术博客中介绍了其原理。高速DAC负责将多位数字信号转换成多电平模拟信号,再通过光调制器转换为光矢量输入。通过光子矩阵的计算后,输出光矢量经过光电探测器、跨阻放大器和ADC,重新回归数字信号。

Lightmatter强调高分辨率的DAC功率较大而且会占用较大的芯片面积,所以它们选择了中分辨率的DAC来保证性能。而且为了满足TIA在高动态范围和大带宽上的要求,反馈电阻不能特别大,TIA之后也要加一个额外的电压放大器。

2.曦智科技

去年年底,与Lightmatter可以称为“同门师兄弟”的曦智科技也发布了旗下首个产品,高性能光子计算处理器PACE。在PACE中,单个光子芯片集成了超了一万个光子器件,时钟速度达到1GHz。根据曦智科技的说法,PACE在运行特定循环神经网络时,速度可以达到高端GPU的数百倍。

PACE包含了一个64x64的光学矩阵,由集成硅光芯片和CMOS芯片3D堆叠而成,从Cadence发布的视频来看,曦智科技的3D封装应该是基于Cadence的Integrity 3D-IC和Innovus平台打造与设计的。

曦智科技强调,靠光子矩阵的光子计算和光子互联,不仅可以实现更强大的并行能力和更低的延迟,能效上也与电子IC相当,工艺要求却不高。所以对于数据中心等场景来说,是一个替代GPU的低成本高性能方案。

3.大规模光子集成芯片专项

从以上两家公司的成果可以看出,对于光子集成电路来说,最重要的一个是计算,另一个是互联,前者保证了性能,后者保证了扩展性和延迟。要攻克这些目标无疑需要更大的投入和研究,随着国外光子集成的研究已经起步,我国也早已认识到这一点,并在2016年启动了“大规模光子集成”芯片这一中科院战略性先导科技专项。

该专项分为三个目标,短期目标是在5年内,先解决目前集成电路面临的访存墙和I/O墙问题,互联交换带宽要达到3.2Tbps;中期目标则是利用大规模并行架构的光电混合计算芯片实现5万亿次矩阵乘加计算的处理能力,并以此开发深度学习计算机;长期目标则是面向未来的量子计算,推出超大规模的片上网络,在特定算法上性能彻底超过电子计算。

很明显,这样一个专项任务是一个复杂的工程,所以也分配给了半导体所、上海微系统与信息技术所、西安光学精密机械所以及计算技术所来合作完成。而该专项现阶段的结果已经达到了国际领先的集成规模,实现了单片集成15408个基础元件的16x16光学交叉矩阵芯片。

国产替代能否“弯道超车”?

根据Lightcounting 预测,激光器芯片规模到2027年将达到了23.5亿美元,而国内厂商的份额刚刚过亿,因此还是有很大的成长空间的,在华为、中兴等一众企业崛起之后,目前全球十大厂商当中,中企已经占据了半壁江山。

相对而言在供应链优势上,国内是要比欧美更加完善的,但受到历史原因方面的影响,目前上游的光芯片环节依然在他们手上,海外主导着高端产品,在综合实力上还是存在一定的差距,但在国家的大力扶持之下,在光电芯片领域,国内同样有着欧美未掌握的核心技术。

光芯片所展现出来的优势明显,在技术相对成熟之后,将处于半导体产业的顶端,探索新技术是目前中企的首要责任,如果后续能将光子和集成电路结合在一起,将有效的形成“片上光互联”,这对于更为深入的科研,是有着很大的助力的。

在这项颠覆性的技术诞生之后,华为一切的问题都将迎刃而解,凭借着在该领域的技术地位,也能够彻底的摆脱欧美技术体系的封锁,华为能够在5G技术上实现弯道超车,自然在光信通讯技术上也是齐头并进的。

在芯片供应被中断华为,华为就积极合作国内企业、研究所,展开全产业链技术的布局,实现全面的国产替代计划,而光电芯片国产化将成为最重要的一个步骤,对此你们是怎么看的呢?

文章来源: 圈聊科技,电脑报评论,电子发烧友

免责声明:凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处本网。非本网作品均来自其他媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。如您发现有任何侵权内容,请依照下方联系方式进行沟通,我们将第一时间进行处理。

0赞 好资讯,需要你的鼓励
来自:芯圈那些事
0

参与评论

登录后参与讨论 0/1000

为你推荐

加载中...