碳化硅成为半导体巨头未来十年业绩“动力”,国内外技术差异将不断缩小

微观人 2023-02-20
3105 字丨阅读本文需 8 分钟

作为推动能源变革的关键技术,Infineon、ON Semi等功率半导体巨头们已将SiC视为未来十年业务增长的强劲动能。然而,原材料与关键设备的紧缺持续干扰着全球SiC供应链的稳定,“扩产”将成为未来几年活跃于产业的关键词。

根据Wolfspeed预计,2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元,2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。当前SiC功率器件价格较高,是硅基IGBT的3~5倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。

过去几年中,IDM厂商在12英寸晶圆厂上投资了数十亿美元,用于制造IGBT等硅基功率元件,这使得完全折旧的6/8英寸晶圆厂现在可用于支持SiC大规模生产。当然,IDM厂商需要额外添置一些SiC专用生产设备,这包括超高温CVD反应器、高温高能离子注入机、高温氧化炉、晶圆级测试设备等。

硅晶圆在90年代经历了从6英寸到8英寸的转变,随后在大约十年后转向12英寸晶圆。SiC正在经历着同样的事情,当前绝大多数SiC功率元件仍然依靠在6英寸晶圆上进行生产,而为了进一步降低成本并扩大SiC渗透率,Wolfspeed等一线厂商已目光投向8英寸。这十分困难,但不得不做,我们可以看到Wolfspeed Mohawk Valley Fab的实际量产时间已经被一再推迟,这同样关系到其近几个季度糟糕的财务状况。

安森美战略转型:all in碳化硅

安森美是全球汽车半导体龙头,聚焦智慧电源及智慧感知业务。安森美前身为1999年摩托罗拉分拆的半导体部门,2000年美股上市,后陆续收购众多半导体制造商,在全球建立生产基地和设计工厂。2021年,公司收购碳化硅厂商GTAT,增强碳化硅领域布局实力。2021财年,公司实现营收67.4亿美元,同比增长28.13%;归母净利润10.1亿美元,同比增长339.13%。

战略转型:all in碳化硅,彰显汽车野心。安森美收入包含电源方案部(功率)、先进方案部(模拟、混合信号、逻辑)及智能感知部(CIS),下游涵盖汽车、工业、通讯、消费等。2020年12月,El-Khoury出任公司新CEO;2021年8月,公司变更品牌名(去“半导体”化)及LOGO,彰显对于汽车下游的重视。碳化硅作为远期核心增长点,在公司营收比重不断提升。而IDM转Fab-liter模式,也切实推动公司盈利能力改善。

激进扩产:或为弹性最大玩家。自2021年转型以来,公司资本开支占营收比例从2021Q1的5%提升至2022Q2的10%。2022年9月,安森美在捷克罗兹诺夫扩建的SiC工厂落成,未来两年内产能将逐步提高16倍。客户端,公司不断取得突破,市场预期其进入北美大客户并取得可观的订单金额。市场普遍关注Wolfspeed,对于安森美的研究相对较少,我们认为安森美将成为碳化硅器件市场格局的最大变量。

供需测算:中短期格局偏紧,国产窗口期尚未关闭。根据Yole统计,2021年碳化硅器件端,安森美份额为7%,我们预计未来将持续提升;CR5之外的份额为12%,国产化率目前较低。碳化硅市场需求饱满,汽车市场的确定性增长,叠加储能等新兴领域出现,经我们测算,到2025年,全球碳化硅器件市场规模有望达到74.3亿美元。我们判断,2025年前,供需将持续趋紧,国产将留有一定的发展窗口期。

SiC厂商逐步完成衬底布局

全球领先的SiC器件供应商ST、英飞凌、Wolfspeed、ON Semiconductor、Rohm等基本上都有自己相对稳定的衬底供应渠道。

Rohm于2009年收购了德国SiC衬底和外延片供应商SiCrystal。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC晶圆制造商。罗姆从2010年开始在全球率先量产SiC MOSFET,至此,罗姆已经推出了第四代SiC MOSFET。将本产品用于车载逆变器时,与使用IGBT相比,功耗可降低6%。对延长电动车的续航里程很有帮助。虽然公司规模不是很大,但SiCrystal的关键技术已作为SiC功率半导体广泛应用于全球电动汽车,公司已成为SiC晶圆市场的领先企业之一。

自2019年收购瑞典SiC衬底供应商Norstel以来,该公司一直在考虑IDM模式。但Norstel在瑞典的产能有限,ST不得不依赖与Wolfspeed的长期SiC晶圆供应协议,为ST供应150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。因此,2022年10月,ST宣布将在意大利建立一个集成的SiC衬底制造工厂,该工厂将与意法半导体位于意大利卡塔尼亚的工厂现有的SiC器件制造工厂一起建设。生产150mm SiC外延基板的工厂。据 Yole Intelligence 化合物半导体和新兴基板团队的首席分析师 Ezgi Dogmus 称,这使 ST 到 2024 年能够达到 40% 的内部基板采购。

2022年12月初,ST宣布与Soitec合作开发SiC衬底制造技术,并在其未来200mm衬底制造中采用Soitec的SmartSiC技术为其器件和模块制造业务提供支持,并有望实现中期量产。ST还暗示在不久的将来开发200mm SiC晶圆。

2021年11月1日,安森美半导体收购SiC衬底供应商GT Advanced Technologies(“GTAT”),实现产业链垂直整合,确保产能和品质的稳定性。安森美半导体是目前为数不多的能够提供从衬底到模块的端到端 SiC 解决方案的供应商之一。此外,为满足市场对SiC需求的加速增长,安森美半导体仍在大力投资扩产:2022年8月11日,安森美半导体位于新罕布什尔州哈德逊的SiC工厂竣工。建成后,碳化硅(SiC)产能将同比增长5倍;2022 年 9 月,安森美半导体将在捷克共和国罗兹诺夫完成其扩建的碳化硅 (SiC) 工厂。

这些厂商虽然通过收购建立了自己的衬底供应,但产能还远远落后,因此仍与全球最大的SiC衬底和外延片供应商Wolfspeed绑定。Wolfspeed约占全球总量的60%。SiC 晶圆产能的百分比。2022年,Wolfspeed全球首家8英寸SiC工厂启动,小规模试产正在进行中。预计在今年上半年完成初始认证并开始供货,这也向行业发出了一个积极的信号。

2022 年 10 月,Wolfspeed 宣布了一项耗资 65 亿美元的多年产能扩张计划,其中包括在公司最先进的 200 毫米莫霍克谷工厂以及北卡罗来纳州 445 平方英尺的工厂安装额外设备。一亩碳化硅材料厂的建设将使公司现有材料产能扩大10倍以上。第一阶段的建设计划于公司 2024 财年末完成。博格华纳向 Wolfspeed 投资 5 亿美元,以确保高达 6.5 亿美元的碳化硅器件年产能供应。

不过近年来,Wolfspeed也开始向SiC器件如SiC MOSFET、SiC二极管、SiC模块等领域延伸。根据Wolfspeed发布的消息,未来包括奔驰、捷豹路虎在内的电动汽车都将采用Wolfspeed的SiC器件提供动力。

对于这种竞争与合作的关系,Wolfspeed CEO Gregg Lowe此前表示,公司将以同样的优先级支持这两种不同的商业模式。他认为,未来10年,Wolfspeed仍将与这些半导体客户和竞争对手保持良性的竞争关系。Wolfspeed 需要合作伙伴帮助功率半导体行业从硅器件向碳化硅器件转型。

诚然,对于碳化硅这样性能优异、产业急需、但挑战重重的材料,在竞争中合作、在合作中共赢是产业快速发展的主要手段。

综上所述,可以看出在SiC衬底方面,ON Semiconductor有GTAT,ST有Norstel,Rohm有SiCrystal,Wolfspeed自己生产SiC衬底。为什么SiC领域会出现这样的发展趋势?北京市半导体行业协会副秘书长朱晶表示:“之所以出现这种趋势,主要是因为碳化硅供需极度失衡,碳化硅衬底的需求量非常大,被业界认为产业成为长期持续的趋势,SiC衬底的产能因良率问题无法满足快速增长的需求,导致器件厂商“囤货”的冲动。

SiC材料特性优异,新能源汽车、光伏驱动行业成长

SiC电气特性优越,有望成为最具前景的半导体材料之一。半导体材料位于半导体产业链最上游,属于芯片制造与封测的支撑性产业,是半导体产业链中细分领域最多的环节。近年来,全球半导体材料市场规模稳健增长,而从被研究和规模化应用的先后顺序看,半导体材料发展至今已经历了三个阶段。其中,以SiC为代表的第三代半导体,具备耐高压、耐高温和低能量损耗等优越性能,可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求,有望成为半导体材料领域最具前景的材料之一。

碳化硅下游应用广泛,新能源汽车、光伏等驱动行业成长。SiC产业链包括上游SiC衬底材料的制备、中游外延层生长、器件制造以及下游应用市场。从下游应用看,SiC衬底可分为半绝缘性衬底和导电性衬底,其中半绝缘SiC衬底主要用于制作微波射频器件,用于5G通讯、雷达等高频需求领域,导电型衬底则用于制作功率器件,用于新能源汽车、光伏发电等高压需求领域。近年来,SiC功率器件在下游应用中崭露头角,应用范围已从传统的消费电子、工业控制、电力传输、计算机、轨道交通等领域,扩展至新能源汽车、风光储、物联网、云计算和大数据等新兴应用领域,其中新能源汽车、光伏等领域的快速发展给SiC带来增量需求,驱动碳化硅行业不断成长。据Yole预测,到2025年,全球SiC市场规模将达到25.60亿美元,2019-2025年复合增速高达29.53%。

政策支持+成本下降,碳化硅国产替代有望加速。近年来,国家陆续出台政策鼓励SiC行业发展与创新,叠加SiC衬底向大尺寸演进,有效提升材料使用率,以及晶棒、衬底良率持续提升,未来碳化硅器件的生产成本有望持续下降,预计在高电压场景中将先具备替代优势。目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势,国内企业仍在起步阶段,技术不断追赶同时产能尚在爬坡,随着国内企业产品得到验证进程加速,下游厂商认可程度不断提升,海外企业与国内企业差距相对缩小,国产替代具备广阔的市场空间。

文章来源: 半导体产业纵横,芯榜

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