全球陶瓷基板市场火爆,第三代半导体SIC加速上车

材料文献解读 2023-07-10
3226 字丨阅读本文需 8 分钟

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展,电子系统的功率密度随之增加,散热问题越来越严重。对于电子器件而言,通常温度每升高10°C,器件有效寿命就降低30%~50%。因此,选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

其中,基板材料的选用是关键环节,直接影响到器件成本、性能与可靠性。常用的基板材料主要包括塑料基板、金属基板、陶瓷基板和复合基板四大类。目前,陶瓷基板虽然不是处于主导地位,但由于其良好的导热性、耐热性、绝缘性、低热膨胀系数和成本的不断降低,在电子封装特别是功率电子器件中的应用越来越广泛。

陶瓷基板按照工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。根据GII报告显示,2020年陶瓷基板全球市场规模约为65亿美元,预测在2020年~2027年间将以6%的年复合成长率成长,2027年之前将达到100亿美元。

01

陶瓷基板分类

1、HTCC基板(高温共烧陶瓷)

HTCC基板制备过程中先将陶瓷粉(Al2O3或AlN)加入有机黏结剂,混合均匀后成为膏状陶瓷浆料,接着利用刮刀将陶瓷浆料刮成片状,再通过干燥工艺使片状浆料形成生胚;然后根据线路层设计钻导通孔,采用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔,最后将各生胚层叠加,置于高温炉(1600℃)中烧结而成。目前已应用于高频无线通信领域、航空航天、存储器、驱动器、滤波器、传感器以及汽车电子等领域。

根据Market Watch的统计数据,2021年全球HTCC陶瓷基板市场规模约为22.12亿美元,预计2028年达到38.75亿美元,年复合增长率为8.3%左右。HTCC陶瓷基板行业市场集中度比较高,前三大厂商日本京瓷,日本丸和与日本特陶占据80%的全球HTCC陶瓷市场份额,行业内主要竞争者数量少,属于寡头竞争。

2、LTCC基板(低温共烧陶瓷)

为了降低HTCC制备工艺温度,同时提高线路层导电性,业界开发了LTCC基板。与HTCC制备工艺类似,只是LTCC制备在陶瓷浆料中加入了一定量玻璃粉来降低烧结温度,同时使用导电性良好的Cu、Ag和Au等制备金属浆料。LTCC基板制备温度低,但生产效率高,可适应高温、高湿及大电流应用要求,在军工及航天电子器件中得到广泛应用。

根据Market Watch发布的报告,2022年LTCC陶瓷基板的市场规模预计可达12.949亿美元,预计2028年市场规模将达到18.682亿美元,年复合增长率为6.3%。全球LTCC陶瓷基板的主要供应商包括村田制作所,日本京瓷,TDK株式会社等。

3、DPC基板(直接电镀陶瓷基板)

直接板铜dpc陶瓷基板,又称直接镀铜陶瓷基板,也是一种将薄膜电路与电镀工艺相结合的新型陶瓷基板技术。它不仅用于在舞台、景观、汽车前照明灯等传统照明,而且还用于高功率器件的封装,比如垂直腔面发射激光器(VCSEL),还包括了紫外线发光二极管(UV LED)等半导体器件。总之,dpc陶瓷基板它结合了陶瓷加工技术和技术的优点。材料技术具有高导热性、高绝缘性、高电路精度、高表面平整度、热膨胀系数等特点。

dpc陶瓷基板工艺采用薄膜制造技术,真空镀膜法在陶瓷基材上溅射和结合铜金属复合层,使铜和陶瓷基板具有超强的粘接力,然后利用黄光微阴影的光刻胶进行在曝光、显影、刻蚀和flm去除工艺完成电路生产,最后通过电镀/化学镀增加电路的厚度。去除光刻胶后,完成金属化电路制作。

dpc陶瓷基板更符合未来高密度、高精度、高可靠性的发展方向。对于各大半导体行业厂商来说,dpc陶瓷基板是更为合适的选择。展至科技将继续努力创造高品质的产品,为客户提供更满意的产品和服务,实现与客户的双赢合作。

根据HNY research发布数据,2021年全球DPC陶瓷基板市场规模大约为21亿美元,预计2027年将达到28.2亿美元,2022-2027期间年复合增长率(CAGR)为5.07%。全球主要的DPC陶瓷基板供应商包括日本京瓷、日本丸和、台湾同欣电子等。

4、DBC基板(直接键合铜陶瓷基板)

该基板由陶瓷基片(Al2O3或AlN)与铜箔在高温下(1065℃)共晶烧结而成,最后根据布线要求,以刻蚀方式形成线路。DBC具有导热性好、绝缘性强、可靠性高等优点,已广泛应用于IGBT、LD和CPV封装。

QY Research调研显示,2021年全球DBC陶瓷基板市场规模大约为3亿美元,预计2028年将达到5.5亿美元,2022-2028期间年复合增长率(CAGR)为9.0%。主要DBC陶瓷基板厂商包括美国Rogers、韩国KCC、日本Ferrotec旗下的江苏富乐华半导体科技股份有限公司等。

5、AMB基板(活性金属焊接陶瓷基板)

AMB陶瓷基板是DBC工艺的进一步发展,该工艺通过含有少量稀土元素的焊料来实现陶瓷基板与铜箔的连接,其键合强度高、可靠性好。该工艺相较于DBC工艺键合温度低、易操作。

根据QY Research报告,2021年AMB陶瓷基板市场规模约为0.9亿美元,预计2028年增长到3.8亿美元,复合增长率高达22.7%。主要供应商包括美国Rogers、德国Heraeus、日本电化株式会社(Denka)、日本同和(DOWA)。

02

材料方面,氮化铝、氮化硅将会起飞

目前陶瓷基板的主要材料以氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)和氮化硅(Si3N4)三类为主。氧化铝陶瓷基板价格低廉(约为氮化铝的1/10),生产工艺成熟,目前产量最大,应用面最广。但是,氧化铝陶瓷基板的导热性能已无法满足大功率芯片的散热要求。

氮化铝的热导率是氧化铝的5倍,并且具备与硅材料相匹配的热膨胀系数,在大功率电力电子,以及其他需要高热传导的器件中,逐渐替代氧化铝陶瓷,是目前发展最快的陶瓷基板。

氮化硅被认为是综合性能最好的陶瓷基板材料,虽热导率不如氮化铝,但其抗弯强度、断裂韧性都可达到氮化铝的2倍以上。同时,氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第三代半导体碳化硅相近,使得其成为碳化硅导热基板材料的首选。

综合来看,氮化铝陶瓷基板与氮化硅陶瓷基板最具发展前景。

2021年全球氮化硅陶瓷基板市场规模在4亿美元左右,在新能源汽车等终端市场需求推动下,中国已经成为全球重要的氮化硅陶瓷基板消费国,国内产品主要依赖进口,国内市场规模从2017年的0.27亿美元增长至2021年的1.20亿美元,GAGR为45.2%。随着IGBT和碳化硅MOS在新能源车领域的渗透率越来越高,市场空间有望进一步提升。

氮化铝基板的生产能力主要集中于全球少数厂家,其中日本是全球最大的氮化铝基板出口国,核心厂商为日本丸和、京瓷等。国内已涌现一批具备氮化铝基板批量生产的企业,龙头公司的产能已超50万片/月,逐步接近日本丸和。随着高质量氮化铝基板的生产能力不断提升,未来有望改变高性能陶瓷基板长期依赖进口的局面。

目前氮化铝陶瓷基板的市场空间约10亿元,2019年-2022年,国内氮化铝陶瓷基板市场空间的复合增长率超20%。随着下游大规模集成电路、IGBT、微波通讯、汽车电子及影像传感等产业的迅速发展,以及在电子器件功率提升的大背景下,氮化铝的应用规模将进一步扩大。根据行业专家预测,未来几年,氮化铝陶瓷基板的市场空间增速仍将保持在20%以上,按此增长速率计算,则2026年氮化铝陶瓷基板的市场空间有望达到20亿元。

03

广阔的市场前景

全球陶瓷基板市场火爆,市场规模稳步增加

根据华西证劵研究所报告显示,2020年全球陶瓷基板市场规模达到89亿美元,预计2026年全球规模将达到172.9亿美元,涨幅达到94.27%,市场前景广阔。

高功率IGBT模块持续推动DBC/AMB陶瓷基板市场扩大

DBC陶瓷基板具有高强度、导热性能强以及结合稳定的优质性能,而AMB陶瓷基板是在DBC的基础上发展而来的,结合强度相对更高。近年来随着新能源汽车、光伏储能行业的快速发展,IGBT功率模块的需求快速增长,对于DBC、AMB陶瓷基板的需求也不断增加。目前DBC陶瓷基板主要生产厂家有罗杰斯、贺利氏集团、高丽化工等;AMB陶瓷基板主要生产厂家有罗杰斯、日本京瓷、日本丸和等。

LED需求量提高

LED芯片对于散热要求极为苛刻,车载照明将进一步提升AlN基板的需求。目前单芯片1W大功率LED已产业化,3W、5W,甚至10W的单芯片大功率LED也已推出,并部分走向市场。这使得超高亮度LED的应用面不断扩大,从特种照明的市场领域逐步走向普通照明市场。由于LED芯片输入功率的不断提高,对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。而传统的基板无法承载高功率的热能,氮化铝陶瓷具有良好的导热和绝缘性能,能够提高LED功率水平和发光效率。功率LED已经在户外大型看板、小型显示器背光源、车载照明、室内及特殊照明等方面获得了大量应用。

第三代半导体SIC加速上车-AMB急速获益

SiC加速上车,AMB随之受益,Si3N4陶瓷基板的热膨胀系数与第3代半导体衬底SiC晶体接近,使其能够与SiC晶体材料匹配性更稳定。虽然国内AMB技术有一定积累,但产品主要是AIN-AMB基板,受制于Si3N4基片技术的滞后,国内尚未实现Si3N4-AMB的商业化生产,核心工艺被美国、德国和日本等国掌握。

结束语

鉴于陶瓷具有良好的导热性、耐热性、高绝缘、高强度、低热胀、耐腐蚀和抗辐射等优点,陶瓷基板在功率器件和高温电子器件封装中得到广泛应用。目前,陶瓷基片材料主要有Al2O3、AlN、Si3N4、SiC、BeO和BN。由于Al2O3和AlN具有较好的综合性能,两者分别在低端和高端陶瓷基板市场占据主流,而Si3N4基板由于抗弯强度高,今后有望在高功率、大温变电力电子器件(如IGBT)封装领域发挥重要作用。工艺、结构方面,今后陶瓷基板将主要继续沿着高精度、小型化、集成化方向发展。

文章来源: 粉体网, 新型陶瓷, 展至科技

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