中国Micro LED大厂JBD宣布开始出货单片RGB Micro LED Phoenix系列原型机，先前发布且已量产的Hummingbird （蜂鸟）系列是用于30度的FOV（可视范围） 应用，Phoenix系列则用于50度以上FOV波导。

JBD首批Phoenix工程样品为0.22英寸面板，分辨率为2K，子像素间距为2.5微米；三个LED（RGB）均为AlInGaN发光器，为垂直堆栈结构。JBD表示，其标准产品计划包括一块0.3英寸面板，分辨率为4K，子像素间距为2微米，预计2025年开始全面量产。

今年7月，JBD宣布已经完成数亿人民币的A3+ 轮和A4轮战略融资，投资人包括阿里巴巴、三星、比亚迪和吉利等，这两笔融资资金将用于继续加大Micro LED核心技术的研发投入、产品量产、高端人才引进以及市场开拓。另有消息指出，比亚迪正与JBD合作开发Micro LED汽车应用。

经过查询得知，当下使用量子点（QD）进行颜色转换，实现单片 RGB 显示的最常用方法。这种向下转换方法目前在可实现最大亮度和器件寿命方面受到限制，因为 QD 寿命会随着泵浦通量密度和 MicroLED 结温的增加而显著降低。

JBD 声称，基于外延的三色集成技术，例如多色外延层、选择性区域外延、再生、纳米结构和 3D 结构，尚未在像素间距小于 10um 的情况下生产出更好的原型。而市面上现有的全彩色 MicroLED 显示器是通过将三个独立的红色、绿色和蓝色面板与 X 立方体棱镜相结合来实现的。单面板单片 RGB 微型显示器通常是业界首选，其可以实现更大的视野和更小的光引擎外形。

JBD 声称，旗下 Phoenix 原型展示了使用原生半导体的 5um 间距以下单片 RGB MicroLED 微型显示器的可行性，与现有的单面板 Micro-OLED 显示器相比，其亮度提高了 2 个数量级以上。此外，由于简化的系统级集成到 AR 眼镜上减少了光学损耗，因此可以实现更高的波导准直效率。

JBD 表示，Phoenix（凤凰）技术的一个关键特点是“总堆叠厚度小于 5um，这是有史以来最薄的堆叠厚度，可以最大限度地减少腔内的吸收损耗”，再加上能够以高通量密度操作原生彩色光源的能力，使用该平台“可以实现高达 100 万尼特的白平衡亮度”，从而获得“高色彩质量和色彩纯度的图像”。

此前，该团队推出了多款Micro LED创新产品，如0.55英寸全彩Micro LED微显示器、像素密度高达3780 ppi的0.38英寸Micro LED微显示器。此外，Rayleigh Vision还成功培育2.5微米Micro LED像素、并构建密度超过10,000 ppi的像素阵列的技术。

《2023元宇宙LED显示应用调研白皮书》显示，叠层式 Micro LED 不仅可实现全彩，并且提高了性能，同时也提高了传输过程的效率。转移过程中的步骤将其减少了三分之二（就转移步骤数量而言），同时可以在单个晶圆上完成所有过程；是目前Micro LED 微显示技术的关注技术之一。

据不完全统计，近年头部厂商和高校科研机构正加速投入叠层式Micro LED的研究当中。包括首尔伟傲世、Lumens、Sundiode、诺视科技等国内外LED企业，以及国内的清华大学研究团队、均有研究成果落地。

首尔伟傲世

2022年，首尔伟傲世展示了WICOP Pixel全彩单芯片显示技术。

据悉，WICOP Pixel 实现三个 RGB Micro LED 垂直堆叠，可将Micro LED显示屏生产工序减少到三分之一，既提高了Micro LED的良率，又降低了制造成本，这种结构不仅可以制造超小型芯片和均匀呈现颜色，还可以再现各种黑色。

今年2月，首尔伟傲世展示了基于WICOP Pixel技术的Micro LED显示屏，亮度提高到了4000nits，将Micro LED的应用范围扩大到包括AR、VR在内的元宇宙领域。

Sundiode

2021年4月，美国Micro LED微显示公司Sundiode公布了其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术，可将单晶圆上的叠层式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。

同年11月，Sundiode展示了叠层式RGB Micro LED全彩显示器，采用主动矩阵硅基CMOS背板驱动技术，Micro LED芯片尺寸为100μm，显示器尺寸为15.4mm×8.6mm，分辨率为200PPI。

今年年初， Sundiode与GaN技术开发商Soft-Epi，共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。

而后5月，Sundiode与KOPTI（韩国光子技术研究所）合作开发一种具有“堆叠”结构、不同的制造Mini/Micro LED方法，可为Micro LED提供RGB三色叠加、且不并排的像素。

目前，Sundiode计划进一步开发，未来将在硅 CMOS 背板上使用堆叠 RGB 像素技术的Mini/Micro LED显示器。

Lumens

今年初，韩国LED开发商Lumens宣布，已开发用于Micro LED生产的RGB外延片Monolithic。

据悉，单个外延片产品是由RGB三光色外延片堆叠而成。在红光LED材料上，Lumens改用与蓝光、绿光相同的氮化铟镓材料，更易于叠层式芯片的加工与生产。

8月16日，Lumens 在K-Display（韩国显示器工业展览会）首次对外推出 RGB 单芯片 Micro LED。

诺视科技

2022年底，国内Micro LED技术开发商诺视科技成功点亮0.39英寸的Micro LED微显示屏，产品采用WLVSP™ (Wafer Level Vertically Stacked Pixels，晶圆级垂直堆叠像素）技术方案开发。

据诺视科技官微信息，其在与湖南大学产学研合作中，逐步实现了大尺寸硅基集成电路工艺和VSP技术方案的统一，未来湖南大学持续保持在Micro LED技术开发方面展开多层次合作。

数字光芯

今年3月，数字光芯在企查查披露了“采用堆叠式封装的Micro-LED微显示芯片”的专利申请，该专利已进入授权阶段。

本发明公开了一种采用堆叠式封装的Micro LED微显示芯片，该Micro LED微显示芯片将数据存储电路与Micro LED像素及驱动电路独立为两个芯片，并使用芯片堆叠技术将数据存储芯片与Micro LED像素及驱动电路芯片堆叠封装，有效的降低了Micro LED微显示芯片的面积。

4月2日，数字光芯与诺视科技共同成功点亮0.12英寸 Micro LED微型显示屏，该微型显示屏亮度可达数百万尼特，像素尺寸3.75μm。

清华大学

2021年5月，清华大学电子工厂系研究团队开发了基于叠层式红、绿、蓝三色（RGB）的Micro LED器件阵列设计。

据悉，该设计通过外延剥离和转移印刷的方法，将基于不同无机III-V族单晶半导体结构的薄膜式Micro LED，包括铟镓磷基（InGaP）红光LED、铟镓氮基（InGaN）绿光和蓝光LED（尺寸~100μm2，厚度~5μm）异质集成，形成垂直堆叠结构。同时，通过设计具有波长选择透过的光学薄膜作为Micro LED之间的界面层，提高了器件的发光效率和辐射性能。

与传统并排放置的RGB器件结构相比，在同等器件尺寸下，叠层结构比并排结构可将显示分辨率提升三倍，不仅提高了器件的发光性能，也降低了制备过程中对加工精度的要求。

Youngwoo DSP

2021年，韩国半导体设备厂Youngwoo DSP获得政府项目，负责开发基于超小RGB堆叠层的新型Micro LED制造技术，项目持续至2024年底。

据Youngwoo DSP表示，这项技术有助于提高巨量转移的对准精度、提升像素点密度，同时还能节省制造时间、降低成本；相关产品可应用到智能手表、汽车以及AR设备等。

KAIST

2020年，韩国高等科学技术研究院（KAIST）的研究团队开发了一种生产高分辨率Micro LED显示器的方法。

值得注意的是，该团队将红绿蓝LED有源层堆叠在3D空间之后使用半导体图案化工艺，并通过具有滤光片特性的绝缘膜，消除红、蓝光色干扰。最终，显示器拥有每英寸超过6万像素的高分辨率。

去年7月，KAIS宣布，由电气电子工程学院的Sang-Hyun Kim教授领导的研究团队利用单片式3D集成技术，成功研发了1600 PPI等效Micro LED显示器。

文章来源： ​IT之家，行家说Display，十轮网