先进制程跑出一匹黑马,三巨头之争变四足鼎立?

电子PCB 2023-09-04
5418 字丨阅读本文需 12 分钟

英特尔宣布2024年首季起,制造部门将独立营运,全力冲刺代工业务,三星电子前段时间发布第二代3nm工艺,两大巨头都想和台积电一争高下。而台积电这边,始终维持领先,2nm订单已经开始和客户洽谈。

2nm晶圆厂竞争加入一匹黑马

9月1日,Rapidus在北海道的IIM-1晶圆工厂破土动工,并将开启新一轮招聘潮。

Rapidus是一家由日本政府支持的晶圆代工厂,成立于一年多前,旨在与台积电、三星电子和英特尔等业内领先企业竞争。该公司的目标是:于2025年初开始试产,并到2027年以2纳米制程技术为基础批量生产芯片。

在IIM-1新工厂奠基仪式上,该公司透露,他们已经雇佣了200多名员工,以使该工厂能够如期上线。

Rapidus此次表示,计划在2024年12月安装芯片设备,并开始测试生产,目标是在四年内批量生产2纳米芯片。

Rapidus公司总裁Atsuyoshi Koike在仪式后的发布会上称,在海外合作伙伴和国内设备制造商的支持下,这一目标“虽艰巨但可行”。他同时补充道,“这是千年一遇的机会。这样的机会不会再来了。”

Rapidus与台积电和三星竞争并不容易。后者两家公司的晶圆厂已经在生产基于各自3nm工艺节点的芯片,预计将于2025年开始将2nm工艺技术推向市场。

此前报道称,岸田文雄政府已承诺向Rapidus提供数十亿美元的补贴,以支持日本国内芯片生产,帮助日本重新获得半导体领域的领导地位。

2nm报价接近2.5万美元

据台媒电子时报报道,有IC设计业者表示,台积电不仅3纳米大单几乎通吃,2纳米也开始展开合作洽谈。价格方面,尽管半导体产业处于逆风,台积电仍强势再涨,进入7纳米以下先进制程世代后,晶圆代工报价其实愈来愈贵。

IC设计业者表示,台积电3纳米价格维持2万美元上下, 2纳米价格逼近2.5万美元,计划2025年量产。5/4纳米约1.6万美元,7/6纳米每片晶圆报价翻倍冲上近1万美元。

IC设计业者透露,由于三星、英特尔数年内难以弯道超车,芯片业者几乎只能在台积电投片,在供货与议价上居于下风,能有折扣优惠的是最大客户苹果,或是规模够大的订单。

有业内人士表示,进入7nm制程节点后,先进工艺的报价就越来越高,台积电6/7nm代工价接近1万美元,4/5nm代工价约1.6万美元,3nm代工价更是达到了2万美元,而且能拿到折扣优惠的除了最大客户苹果,只有个别订单规模足够大的厂商。虽然不断传出良品率和效能问题,不过台积电有着供货和议价的优势,许多IC设计公司最终也只能“闭眼下单”。目前有足够资金和产品需求在2/3nm制程节点下单的客户越来越少,且这些客户都与台积电建立了长期合作关系。

按照台积电的时间表,N2工艺预计在2024年末做好风险生产的准备,并在2025年末进入大批量生产,客户在2026年就能收到首批2nm芯片。与3nm制程节点一样,预计台积电同样会拿下大部分大型芯片设计公司的订单,从2024年起迎来新一波增长。

有IC设计从业人员称,台积电代工报价不断创新高,加上通货膨胀的压力等因素,这些成本都会转嫁到下游客户,反映在终端设备的价格上。近年来,包括苹果iPhone和英伟达GPU等各种新品的价格不断提升,这种高定价的策略已经很难回头。

先进制程芯片成本为啥这么贵?

根据芯片的制造流程,可以分为主产业链和支撑产业链:主产业链包括芯片设计、制造和封测;支撑产业链包括IP、EDA、装备和材料等。其中,高昂的成本主要由人力与研发费用、流片费用、IP和EDA工具授权费等几部分组成。同时芯片制造环节涉及到的晶圆厂投资、晶圆制造以及相关设备成本也将会分摊到芯片整体成本之中。工艺制程越先进,成本更是随之提高。

晶圆代工成本

根据CEST的模型,在5nm节点上构建的单个300mm晶圆的成本约为16988美元,在7nm节点上构建的类似晶圆成本为9346美元。可以看到,相同尺寸晶圆,5nm工艺节点相比7nm每片晶圆代工售价高7000多美元。

从中可以推断出,在3nm节点上构建的晶圆成本或将达到3万美元左右,晶圆代工成本将进一步提高。

另一组数据也对此进行了印证,成本价格在很大程度上取决于芯片制程和晶圆尺寸的不同。IC Insights提供的数据显示,每片0.5µ 200mm晶圆代工收入(370美元)与≤20nm 300mm晶圆的代工收入(6050美元)之间相差超过16倍。即使同样是在300mm晶圆尺寸下,≤20nm 相比28nm工艺,成本相差也达到一倍。

可见,随着工艺节点的提升,晶圆代工成本随之大幅度提升。

此外,除了晶圆厂建设和代工费用,晶圆制造厂商的日常运营投入也不低(当然,此部分已经均摊到了代工成本里面)。

台积电企业社会责任报告书中的数据显示,2019年台积电全球能源消耗量达到143.3亿度,作为对比,2019年深圳市1343.88万常住人口的全年居民用电为146.64亿度。由此可见,台积电一年消耗的电量有多么巨大。

而且,精度越高的工艺,或精度越高的光刻设备,所需电量还会成正比增长。据台媒报道,以5nm为例,台积电5nm芯片大规模量产之际,公司单位产品用电量相比2019年上涨了17.9%。

掩膜(Mask)成本

掩膜版又称光罩、光掩膜等,是微电子制造过程中的图形转移工具或母版,其功能类似于传统照相机的“底片”,根据客户所需要的图形,通过光刻制版工艺,将微米级和纳米级的精细图案刻制于掩膜版基板上,是承载图形设计和工艺技术等内容的载体。

据IBS数据显示,在16/14nm制程中,所用掩膜成本在500万美元左右,到7nm制程时,掩膜成本迅速升至1500万美元。

又从台积电(IEDM 2019)了解到,从10nm到5nm,随着EUV光刻技术的应用,掩膜使用数量有所减少,5nm与10nm制程中掩膜使用数量相差不多。

但是,在掩膜数量基本持平的情况下,更先进的制程工艺使得掩膜总成本提升,能侧面反映出掩膜平均成本在不断升高。

再反映到芯片成本上,每片CPU的掩膜成本等于掩膜总成本/总产量。如果总体产量小,芯片的成本会因为掩膜成本而较高;如果产量足够大,比如每年出货以亿计,掩膜成本被巨大的产量分摊,可以使每块CPU的掩膜成本大幅降低,使拥有“更贵的制程工艺+更大的产量”属性的CPU,比“便宜的制程工艺+较小的产量”的CPU成本更低。

可以预见,到3nm时,掩膜成本预计将会再度攀升,进一步增加芯片成本。

EUV光刻机

光刻机作为芯片制造阶段最核心的设备之一,负责“雕刻”电路图案,其精度决定了制程的精度,其原理是把设计好的芯片图案印在掩膜上,接着用激光光束穿过印着图案的掩膜和光学镜片,将芯片图案曝光在带有光刻胶涂层的硅片上,最终将掩膜上的图案转移到芯片光刻胶涂层上。

随着工艺制程的发展,到7nm及更先进的技术节点时,需要波长更短的极紫外(EUV)光刻技术来实现更小的制程。荷兰ASML是全球唯一有能力制造EUV光刻机的厂商。

台积电在7nm+时引入了EUV设备,但层数相对有限;6nm增加了EUV层并优化了PDK(工艺设计工具包);5nm具有完全EUV能力。随着芯片面向3nm及更先进的工艺,芯片制造商将需要一种高数值孔径EUV(high-NA EUV)的EUV光刻新技术。据ASML财报显示,他们正在研发采用high-NA技术的下一代EUV光刻机,有更高的数值孔径、分辨率和覆盖能力,较当前的EUV光刻机将提高70%。

但EUV光刻机的价格一直以来十分昂贵,2018年,中芯国际和ASML签订了订购协议,以1.2亿美元的价格订购了一台EUV光刻机。这一价格与PHOTRONICS披露的EUV光刻机价格基本吻合。

从ASML最新公布的2021年第二季度财报来看,截止2021年7月4日,ASML今年出货EUV光刻机16台,销售额达到24.561亿欧元,平均每台EUV光刻机价格高达1.535亿欧元。

再结合ASML历年(2018/2019/2020三年)财报数据,能够看到ASML的EUV光刻机单从1.045亿欧元到1.44亿欧元,价格逐年攀升。

一台EUV光刻机售价超过1亿美元,而且还相当不好买。ASML每推出一代EUV光刻机,新设备的生产能力在稳步提升,但价格自然更高。据披露,ASML第二代EUV光刻机将会是NXE:5000系列,进一步提高光刻精度,原计划2023年问世,现推迟到2025-2026年,而价格预计将突破3亿美元。

当然,除了价格最贵的EUV光刻机之外,沉积、刻蚀、清洗、封装等环节所采用的设备和材料也价格不菲,且成本都在随着工艺制程向前发展不断提高。

研发&人力成本

先进制程不仅需要巨额的建设成本,高昂的研发和人力费用也提高了设计企业的门槛。

芯片设计包含电路设计、版图设计和光罩制作等,需要考虑多方面因素和知识结构。以大家较为熟悉的5G SoC为例,行业厂商能够集成自研的独立AI处理单元APU,多模通讯基带、相机ISP、各种控制开关、微核等多个自研模块。这部分成本很难具体估算,属于长期的研发成果,但投入力度从人力成本中可见一斑。

人力成本是研发成本的重要部分,项目开发效率和质量与工程师数量和水平相关,国内资深芯片设计工程师年薪一般在50-100万元之间。据了解,赛灵思在研发代号Everest的7nm工艺的FPGA芯片时提到,费时4年,动用了1500名工程师才开发成功,项目耗资超过10亿美元。FPGA芯片已经如此,更复杂的高端CPU、GPU芯片所需要的投资更是巨额数字,英伟达开发Xavier动用了2000个工程师,开发费用已达20亿美金。

芯片的开发成本取决于芯片尺寸、芯片类型等,有业内人士表示,最昂贵的设计(例如某些高端 CPU)比IBS提供的数据要高,但其他设计(例如某些ASIC)则要比IBS数据低得多。综合来看,随着芯片设计种类和形态千差万别,且正在不断发生变化,难以预测其具体成本。

另一方面,晶体管架构转向GAA,也在增加芯片成本。

当前随着深宽比不断拉高,FinFET逼近物理极限,为了制造出密度更高的芯片,环绕式栅极晶体管(GAAFET)成为新的技术选择。因此,晶体管结构从FinFET走向GAA,成为摩尔定律续命的关键。

三星、台积电、英特尔均引入GAA技术的研究,其中三星已经先一步将GAA用于3nm芯片设计。然而GAA当下还面临包括n/p不平衡、底部板的有效性、内部间隔、栅极长度控制和器件覆盖等在内的各种挑战。

在科技变革的过程中,新的技术需要更多时间来开发,在各环节需要新的技术和设备,这一切都在加大芯片开发的成本。

EDA成本

EDA涵盖了集成电路设计、验证和仿真等所有流程,芯片的用途、规格、特性、制成工艺几乎全都在这个阶段完成。利用EDA工具可设计得到极其复杂的电路图,从而制造出功能强大的芯片。

根据ESD Alliance数据显示,2020年EDA全球市场规模114.67亿美元,相对于几千亿美元的芯片市场来说占比较小,但EDA对芯片设计的效率和成本都起着至关重要的作用。

EDA是一个市场规模虽然小但技术流程很长的产业,需要种类繁多的软硬件工具相互配合从而形成工具链,以EDA巨头Synopsys为例,其完整覆盖芯片全设计流程的工具链号称有500多种。从Synopsys和Cadence的财报来看,2020年营收分别为36.9、26.8亿美元,两家公司每年花费在研发上的投入达到35%以上,Synopsys的研发费用更是达到惊人的十亿美金级别,EDA 软件的研发成本正在加速提升。

根据Synopsys 最新财报来数据,2021年第二季度营收10.243亿美元,半导体和系统设计,包括EDA工具、IP产品、系统集成解决方案和相关服务;软件完整性,包括用于软件开发的安全和质量解决方案等。EDA营收达到5.876亿美元,占比在57%左右。

据网上数据,20人的研发团队设计一款芯片所需要的EDA工具采购费用在100万美元/年(包括EDA和LPDDR等IP购买成本)。从EDA的行业属性及高昂的研发投入能够预测,待到3nm制程时,EDA工具授权费自然更是不菲。

IP授权成本

半导体IP是指在集成电路设计中那些已验证、可复用、具有某种确定功能和自主知识产权功能的设计模块,芯片公司可以通过购买IP实现某个特定功能(例如ARM的Cortex系列CPU、Mali系列GPU IP授权等,其他小的模块也要购买,如音视频编解码器、DSP、NPU...等),这种类似“搭积木”的开发模式可大大缩短芯片的开发周期,在降低芯片设计难度的同时提高性能和可靠性。

芯片设计主要由于芯片核心的底层架构(知识产权和技术壁垒)被掌握在少数厂商手中,专利费可能达到设计成本的50%以上。据了解,ARM在过去通常要求客户选择一种特定的芯片设计方案,并预先为其支付授权许可费。这种模式一般都需要厂商一次性花费数百万美元才能被允许使用(具体金额取决于所授权技术的复杂程度,通常在100万美元到1000万美元之间),同时在芯片投产之后再以芯片最终售价的1%-3%向IP厂商支付版税。

另一方面,根据Synopsys和Cadence业绩数据,Synopsys公司IP和系统集成部份营收占比从2017年的28%提升至2020年的33%,达到1202.6万美元;Cadence公司IP部分占比从2016年的11%提升至2020年的 14%。

可见,IP作为技术含量最高的价值节点,随着芯片制程越来越先进,芯片价格的提升,IP研发难度和授权费用也将随之升高。

2024~2025年,四大厂商决战2纳米

目前在2nm芯片上竞争的厂商主要是台积电、三星、英特尔、Rapidus四家,从量产时间点看,决战2纳米就在2024~2025年。

台积电方面,近日其组建了2nm任务团冲刺2nm试产及量产,预计可在明年实现风险性试产,并与2025年量产。此前台积电中科2nm厂延期,台积电直接将高雄厂切入2nm,组建团队冲刺量产也是看到了目前2nm在人工智能风口下的商机。

苹果及英伟达等芯片大厂都对台积电2nm制程保持关注,此前黄仁勋曾表态,未来新一代服务器芯片将会全面采用台积电2nm制程。而其他竞争厂商也都于今年在2nm项目上摩拳擦掌。台积电自然不会轻易让出在2nm的话语权,目前台积电2nm节点改用GAA纳米片晶体管架构,在N2的良率和性能上都取得了“扎实的进展”,并预计2025年投入生产时,在相同功率下速度将比N3E提高15%,或者在相同速度下功耗最多可降低30%。如果进展顺利,苹果和英伟达将成为台积电2nm的首批客户。

三星同样不甘示弱,在今年的第7届三星晶圆代工论坛上,三星官宣将于2025年实现应用在移动领域2nm工艺的量产,于2026和2027分别扩展到HPC及汽车电子。

这不是三星首次对外公布2nm计划,此前三星半导体业务总裁Kyung Kye-hyun也曾公开表示以下观点,“三星将在2nm工艺中赶超台积电成为客户的首选”,“三星将2nm工艺视为超越台积电重返领先先进制程地位的关键”。

三星有如此底气的原因在于其在GAA技术有着扎实的积累。此前三星先进制程已经受制于良率较低,今年年中以后,业界传来消息,三星4nm良率水平追平台积电,3nm良率提至60%以上。并且以后还将更高。由此看三星实力不可小觑。根据三星的评估,2nm工艺比目前的3nm工艺,面积将减少5%、性能提高12%、功效提高25%。

英特尔方面,其中国区总裁兼董事长王锐在今年三月的一次活动中表示,公司已完成Intel 18A(1.8nm)和Intel 20A(2nm) 制造工艺的开发。其中,Intel 20A计划于2024年上半年投入使用,进展良好的Intel 18A制造技术也将提前到2024年下半年进入大批量制造(HVM)。

在先进制程领域声势浩大的Rapidus公司则在今年9月再发出好消息,9月1日,Rapidus在北海道千岁市工业园区——千岁美美世界举行了2nm芯片研发/生产据点千岁工厂「IIM-1(第1栋厂房)」的动工仪式。

Rapidus指出,IIM-1将成为日本国内首座2nm以下最先进逻辑芯片的生产据点,其9月开始进行兴建工程,试产产线计划在2025年4月启用、2027年开始进行量产。Rapidus表示,已派遣该公司研究人员至全球最先进的半导体研究中心之一、位于纽约州阿尔巴尼(Albany)的“Albany NanoTech Complex”,藉由和IBM合作、推动2nm逻辑芯片生产相关技术的研发,且也计划在比利时半导体研发机构imec学习生产最先进芯片所不可或缺的EUV微影设备技术。客户方面,Rapidus社长小池淳义表示‘正和对2nm有兴趣的客户进行协商’。

文章来源: 全球半导体观察,半导体行业观察,满天芯,超能网,科创板日报

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