Micro LED技术何时突破?十项最新技术动态揭示未来的可能

我们的光世界 2023-10-23
2867 字丨阅读本文需 7 分钟

在资本和企业的大力推动下,Micro LED技术在近期迎来了一些新的技术进展。这些进展包括在提高Micro LED显示器的亮度和对比度、降低功耗、提高可靠性和降低成本等方面取得了重要的突破。此外,Micro LED技术还被广泛应用于智能手表、智能家居、车载显示等领域,为人们的生活带来了更多的便利和舒适。随着技术的不断进步和市场需求的增加,Micro LED行业的前景也将更加广阔。

01韩国光子技术研究院在Micro LED发光效率方面取得新进展

近日,据韩国媒体报道,韩国光子技术研究院(KOPTI)宣布成功研发出高效精细Micro LED,Micro LED内部量子效率均可保持90%的范围内,并且不受芯片尺寸大小和不同的注入电流密度的影响。

这款Micro LED由光学半导体显示研究部的Jong hyup Baek博士团队、Woong ryeol Ryu博士带领的ZOGAN Semi团队和汉阳大学纳米光电子学系的Jong in Shim教授共同开发打造,产品解决了Micro LED因芯片尺寸缩小以及注入电流增加而导致的发光效率迅速下降的问题。

据悉,20μm尺寸以下的Micro LED不仅发光效率迅速下降,而且在驱动显示面板所需的低电流范围(0.01A/cm²~1A/cm²)内,Micro LED非发光复合损耗显着增加。目前,业界通过在芯片侧面导入钝化工艺可一定程度缓解上述问题,但并不能从根本上解决。

KOPTI介绍,本次研究团队通过新结构减轻了外延层中的应力,提高了发光效率,并抑制了Micro LED在任何外部电场或结构下的物理应力变化。因此,即使Micro LED尺寸减小,新结构可依旧显著降低表面非发光复合损耗并保持了高发光效率,且无需采用钝化工艺。

目前,团队已成功验证高效精细Micro LED在蓝光,以及氮化镓绿光、红光器件上的应用,未来有望通过该技术生产全彩氮化镓Micro LED显示器。

02台工研院研发出二合一Micro LED显示模块快速检测技术

据台湾经济日报报道,近日,台湾地区工研院锁定色彩校正及光学检测两项核心要点,成功研发出高准确性二合一的“Micro LED显示模块快速检测技术”,能同时检测色彩及光源角度。

台湾地区工研院量测技术发展中心执行长林增耀表示,Micro LED因技术太过前瞻,市场上没有一定的规格,必须配合品牌厂的独特需求进行客制开发,也因此在检测或修补没有前例可循,台湾地区工研院研发团队首先以产业亟须解决的色彩均匀度检测着手。

因为Micro LED尺寸很小,传统显示器量测设备镜头的相机像素无法满足检测需求,台湾地区工研院研发团队利用“重复曝光色彩校正技术”,以重复曝光方式达到Micro LED面板色彩的平衡,并通过光学校正技术分析色彩均匀度,达到准确量测目的。

当前,台湾地区工研院研发团队在既有的光学量测机台上,安装多角度收光镜头,通过一次集结不同角度的光源,再利用独创的软件分析技术,使光源同时呈现在同一个界面上,达到定点量测,大幅减少50%检测时间之外,更成功突破传统100度光源角度检测,扩大至约120度。

值得注意的是,台湾地区工研院由技术处支持成功研发出高准确性二合一的“Micro LED显示模块快速检测技术”,以两站式快速分析微型光源的色彩均匀度,以及角度旋光性特征,提供客户各种新产品客制化检测,并相较于传统设备提升50%量测效率,盼透过技术检测精进,以协助产业突破量产难关,进入下世代显示新世界。

03瑞利光研发可独立调色双层Micro LED阵列

10月13日消息,由香港城市大学何志浩(Jr-Hau HE)教授及其衍生公司瑞利光(Rayleigh Vision)领导的微显示研究团队在Micro LED技术方面取得了重大进展,克服了当前的Micro LED技术局限性。

该团队展示了其叠层发光单元制造技术,新推出了双层Micro LED阵列,每层均可进行独立调色。据悉,该团队的Micro LED叠层工艺已获得初步验证,未来有望研发出RGB全彩Micro LED产品。

瑞利光表示,这项Micro LED技术的进步,预计将使当前平面显示器件的像素密度增加一倍及以上。显示器件具有高对比度、高亮度、宽色域、高效率、低功耗、长寿命等特点,适用于娱乐、消费电子和专业行业的广泛应用。

04JBD红光Micro LED亮度突破100万尼特

近日,Micro LED微显示器制造商JBD宣布,其自主研发的0.13英寸Micro LED红光芯片亮度突破100万尼特大关。

据介绍,本次红光实现100万nits亮度,得益于JBD在多项技术上的重大突破,包括在材料生长技术、非辐射复合抑制技术及光束发散角控制等方面。

新一代超薄AlGaInP外延技术和与之匹配的芯片钝化技术是红光Micro LED亮度提升的关键。据悉,JBD红光的像素尺寸为4um,而发光的LED尺寸<2um,这也对发光效率提出了更为苛刻的要求。

在此之前,JBD正式发布单片全彩垂直堆叠Micro LED微显示屏Phoenix(凤凰)系列原型。该系列产品设计用于50°以上FOV光波导方案的AR眼镜。

05Avicena推出Micro LED基收发器IC

近日,美国Micro LED基芯片到芯片光学互连技术开发商Avicena,展示了全球首款采用16nm FinFET CMOS工艺打造的Micro LED基收发器IC,带宽达到1Tbps。

该公司表示,与当前基于VCSEL或硅光子的解决方案相比,其基于Micro LED打造的LightBundle通信架构技术,可提供更低的功耗和延迟、更高的带宽和更低的成本。

据了解,本次Avicena通过全新16 nm FinFET工艺打造的IC,拥有超过300个通道,每个通过提供4Gbps带宽,超过1Tbps的双向总带宽。此外,IC尺寸小于12mm2,包含了光学发送和接收阵列电路,以及高速并行电气接口和各种测试设计、可制造性分析(DFT/DFM)功能。

06ETRI开发高效Micro LED封装技术

9月24日,韩国电子和电信研究所(ETRI)宣布,开发出一种新型芯片封装技术,可将半导体生产功耗降低95%,新技术使半导体产品生产效率更高且成本更低。

这种新技术采用了一种名为非导电薄膜(NCF)的新型薄膜材料,由ETRI通过其自研的纳米材料技术开发。新技术的应用,将半导体小型芯片封装工艺从复杂的九步工序,简化为三个简单步骤。

该技术可适用于包括Micro LED在内的所有高端半导体产品生产。该研究团队透露,已有几家Micro LED开发商参与评估该新技术,并且取得了非常积极的初步测试成果,该新材料有望在三年内实现商业化应用。

07国星实现7.5微米像素间距的微显示屏点亮

国星光电在投资者交流活动中表示,目前公司技术已经可实现7.5微米像素间距的微显示屏点亮,具有分辨率优、功耗更低等特点,可应用于智能手机、微投和AR/VR设备等多种产品中。

此外,在ALE 2023展会上,国星光电还重磅展出万级像素数字化大灯Micro LED光源。

据国星光电介绍,这款Micro LED光源采用了共晶键合技术,将微米级Micro LED蓝光芯片阵列整合集成到CMOS控制电路上,实现了Micro LED阵列中单个像素独立控制。光源通过搭配高光效白光转换介质,可实现万级像素高品质图像显示。

08诺视Micro LED像素垂直堆叠取得重大进展

9月12日,Micro LED微显示芯片公司诺视科技宣布近日成功打通垂直堆叠(VSP)工艺流程,实现AlGaInP和GaN材料体系的单片集成。

据介绍,该技术采用晶圆级堆叠(WLVSP)技术方案,在完成AlGaInP红光微显示芯片制备后,继续堆叠InGaN晶圆材料,可实现单个驱动背板上的像素垂直堆叠。

诺视科技表示,这是公司在点亮0.39英寸以及其全球最小的0.12英寸红、绿、蓝三原色微显示芯片后,在VSP技术上的又一突破,在完成全波段布局后,向单片全彩Micro LED微显示芯片更进一步。

09K&S展出雷射Mini/Micro LED芯片转移系统

今年9月,全球打线封装机台龙头库力索法(K&S)于SEMICON Taiwan 2023首度展示LUMINEX雷射Mini/Micro LED芯片转移系统。

作为雷射Mini/Micro LED芯片转移解决方案,LUMINEX专为小芯片、高精度、高产能芯片转移设计,可通过多种操作模式进行,在扫瞄模式下,速度达到1万赫兹。

此外,LUMINEX也可以应用到Micro LED制程,目前已在40μmx80μm芯片的直接贴装制程上达到4μm 3σ精度,同时也适用Micro LED封装(MIP)应用。

K&S先前还宣布与LCD SMT解决方案提供商TSMT(台湾地区表面黏着科技股份有限公司)合作,推进MiniLED背光和直显应用。

10季华实验室展示Micro LED巨量检测系统

9月6日,在第二十四届光博会上,季华实验室展示了"Micro LED晶圆级光致发光巨量检测系统"。

据介绍,"Micro LED晶圆级光致发光巨量检测系统"相关技术能够实现无损、非接触式、高稳定性、快速巨量检测,是晶圆级检测设备的核心单元。

除了技术突破,Micro LED相关设备也在寻求突破。目前,海目星自主研发的激光智能复合修整机实现Mini/Micro LED制程中的全自动修复工艺,Mini/Micro LED激光巨量转移设备已实现50μm内芯片应用需求。中微、爱思强也在研发专用的Micro LED设备。

最后

根据TrendForce集邦咨询分析,2022年LED市场产值将明显下滑至142.14 亿美金 (-19% YoY)。其中,价格下降是年产值下滑的主要原因,包括照明、背光在内的传统市场萎缩则是次要原因。

而LED要想重回增长,Micro LED的商用有重要意义。新技术加持下,不仅将重新唤醒市场需求,还将对LED用量有巨大的带动。

文章来源: 高工LED,核芯产业观察,行家说Display

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