根据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器产业的支持力度，过去几年已经有了长足的进步，在 NAND 闪存方面，和三星、SK 海力士等全球领先企业的技术差距缩短到 2 年。

该业内人士指出：“虽然 DRAM 依然保持 5 年以上的技术差距，不过由于 NAND 技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的 NAND 产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”。

报道中特别提及了长江存储，该公司在 2022 年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈 3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代 3D TLC NAND 闪存芯片，名为 X3-9070。

长江存储宣布从 176 层到 232 层量产之后，遭到了外界的诸多质疑，不过该公司用了不到 1 年的时间，成功量产 X3-9070。

除了用于致态 TiPlus7100 系列 SSD，还被用在海康威视的 CC700 2TB SSD 上，这是首个进入零售市场的 200 + 层 3D NAND 闪存解决方案，领先于三星、美光、SK 海力士等厂商。

报道中还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正抓住先进封装（Efficient packaging）这个机会，进一步缩小技术差距。

在半导体业内，先进封装主要封装多个芯片，从而提高性能，被认为是克服挑战的关键。

中国大陆在半导体封装领域占有第二大市场份额，IT之家援引市场研究公司 IDC 的数据，去年长电科技、通富微电和华天科技三家公司进入全球前 10 大半导体封装（OSAT）公司，而韩国没有一间公司出现在榜单上。

NAND闪存已经发明36年

NAND闪存在当今社会中已随处可见，无论是在PC还是智能手机，或者其他日常生活中的各种电子产品。改变世界的NAND闪存来自于日本，东芝作为发明者于1987年推出了全球首个NAND闪存芯片，至今已有36年了。铠侠（Kioxia）是东芝原业务的继承者，目前仍是世界上最具规模的NAND闪存芯片生产商之一。

如果将时间拨回到1987年，或许很难想象NAND闪存会得到如此广泛的应用，对世界科技发展有如此深刻的影响。经过了35年的发展，NAND闪存的规模已达到了700亿美元。芯片存储密度也从4Mb发展到了1.33Tb，增长了333000倍。NAND闪存的出现，使得不少电子产品最终得到了普及，从早期的数码相机、条形码扫描仪和个人数字助理（PDA），到现今的智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统和可穿戴设备等。若没有NAND闪存，或许有些产品根本不会存在。

铠侠美国公司高级副总裁兼首席营销官Scott Nelson表示，NAND闪存改变了游戏规则，并且经受住了时间的考验。未来铠侠还将引领前进的道路，继续投资和发展NAND闪存技术，使其存储密度更高、成本更低，进一步丰富生活中的各种应用。

长江存储实现全球领先

众所周知，在3D NAND闪存领域，有三大巨头，分别是三星、美光、SK海力士，这三大巨头，差不多垄断了全球的闪存市场。

不过2022年，中国大陆也有一家闪存厂商崛起了，那就是长江存储，长江存储是全球第一家量232层堆叠的闪存厂商，比三星、SK海力士、美光还领先。

在3D NAND闪存领域，232层堆叠是一项技术指标，因为对于3D NAND闪存而言，在工艺进入16nm后，就无法再一味的进行平面的工艺微缩了，比如提升到14nm、12nm等，这会导致闪存非常不稳定。

所以为了提升存储密度，大家是通过3D堆叠，即上下多层堆叠技术，而232层堆叠，即实现了232层堆叠，后续还会有更高的层数。

而评价存储芯片的性能指标，有几个参数，比如稳定性、读取速度，存储密度等。

近日，知名的芯片分析机构TechInsights，对长江存储（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NAND Flash闪存芯片进行了比较，想要看看谁的存储密度更高。

先说三星，目前三星176层3D NAND的存储密度是10.87Gb/mm²，而三星的到232/238层的闪存，还没量产

再说SK海力士，目前其176层的存储密度为11.01 Gb/mm²，而232层的闪存还没量产，所以数据未知。

美光的176层产品的存储密度为10.27 Gb/mm²，而其最新量产的232层芯片位元密度则为14.60 Gb/mm²。

最后再说说长江存储的产品，按照TechInsights的测量，232层的产品已经达到了15.03Gb/mm²，为目前最高的密度。

存储密度越高，意味着成本越低，因为可以在同样大小的硅晶圆片内，实现更大的容量，这也代表着技术的先进性。

国产存储芯片利基市场

目前，无论是DRAM还是NAND Flash市场，都呈现出海外企业寡头垄断的格局。我国的大部分厂商仍在与国际龙头企业进行错位竞争，主要聚焦在利基型市场。

早期全球领先的企业如三星、海力士和美光通过大量资本投入进入了DRAM存储器领域，并逐步积累了显著的市场竞争优势。当前全球DRAM晶圆市场目前主要由这三家企业主导。

据Omdia数据显示，近十年来，以上三家DRAM晶圆原厂每年都需要投入数十亿美元用于固定资产投资，且这一趋势呈波动式增长。这充分表明，DRAM晶圆设计与制造行业有着相当高的资本门槛。

国内产业链布局厂商中，兆易创新和北京君正这两家企业都在布局DRAM和Flash市场。兆易创新是国内领先的半导体设计企业，其产品涵盖了存储器、微控制器和传感器。北京君正则于2020年收购了北京矽成100%的股权，其产品主要包括微处理器芯片、智能视频芯片、存储芯片和模拟与互联芯片。此外，普冉股份是国内非易失性存储领域的领先芯片设计企业之一，其主要产品包括NOR Flash和EEPROM。普冉股份凭借其独特的SONOS工艺和40nm的领先制程，在中小容量领域具有突出的低功耗和高性价比优势。

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