在经历了此前的下行周期后，存储芯片市场价格开始上涨。截至目前，部分型号存储芯片的价格较年内谷底上涨10%至50%不等。

行业景气度的回升，让存储芯片行业上市公司迎来了机构的密集调研。近日，江波龙、佰维存储等多家上市公司在接受调研时表示，全球芯片市场状况好转，存储芯片涨价向下游传导，客户备货积极。

部分型号涨幅达50%

从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。

TrendForce集邦咨询分析师王豫琪向《证券日报》记者表示：“本轮存储芯片价格在2021年第四季度触顶后开始下行，其中NAND Flash跌幅最大。而在海外存储巨头的减产策略下，NAND Flash价格于2023年三季度末率先触底反弹。”

记者从华南部分经销商处了解到，以NAND Flash中较为常见的消费级固态硬盘产品为例，最近几个月内，金士顿、西部数据等品牌的产品都出现了100元左右的涨价。

中国电子商务专家服务中心副主任、天使投资人郭涛表示：“DRAM产品较今年谷底价格上涨约13%至18%，而部分NAND Flash涨幅则达到50%。”

不同型号的存储芯片价格涨幅不同，既有上游控产节奏的影响，也有下游需求的影响。王豫琪表示：“在DRAM领域，Mobile DRAM的涨幅较为显著，相较谷底价格上涨两成左右；在NAND Flash领域，Wafer价格上涨最快，累计涨幅接近五成。”

涨幅较快的型号主要应用在下游智能手机、数据中心等领域。深度科技研究院院长张孝荣向《证券日报》记者介绍：“尤其是智能手机使用的高容量NAND Flash产品，价格涨幅较大，但不同品牌和批次存在差异。”

存储止跌，2024年市场有待观察

据CFM闪存市场数据显示，2023年第三季度全球NAND Flash市场规模环比7.5%至98.12亿美元，DRAM市场规模环比增长22.4%至130.63亿美元。整体来看，继第二季度环比增长9%之后，第三季度全球存储市场规模再度环比增长16%至228.75亿美元，同比跌幅进一步缩小到-28%。

10月16日，江波龙在接受投资者调研时表示，存储主要市场中， NAND Flash的整体涨幅更为一致，DRAM不同产品的涨幅存在较大差异。尽管目前下游市场对存储器的采购需求有一定的恢复，但后续的涨价幅度与涨价频率，取决于下游终端需求能否形成持续支撑。

东芯半导体副总经理陈磊观察，本轮存储芯片价格周期性波动是由多重因素共同推动的，“此前受宏观经济增速放缓，消费电子为代表的下游应用疲软，市场景气度下降。但由于部分企业采取‘降价+减产’方式降库存，加之5G、AI、自动驾驶等新兴技术快速发展，存储数据需求大幅增加。诸多因素叠加引发供需失衡，从而催动价格生变。”

去年7月，三星传出考虑下半年降低其存储芯片价格的消息；今年4月，三星电子宣布减产，称“正在将内存产量下调至有意义的水平”。跟进减产降价这一策略的还包括美光、SK海力士等存储大厂，带动存储芯片市场供需调整。

上游企业忙着“去库存”，下游消费电子市况改善。今年10月以来，随着苹果、华为等多家公司相继发布智能手机在内的多款电子产品，消费电子市场隐有抬升趋势。根据IDC调研数据，2023年10月23日至11月3日期间，整体PC市场（含电商平台、厂商官网及线下传统渠道的笔记本及台式机市场）销量同比上升1.4%；平板市场销量同比增长13.5%；手机市场销量同比增长10.2%。

陈磊对此表示肯定。他认为，本轮存储芯片价格触底反弹无疑是个利好的信号，下行周期正在爬坡。对于国产厂商而言，要把握时机转变，为市场提供更高可靠性更优质的存储芯片产品，共同助力半导体产业进入上行周期。

但需要警惕的是，本轮存储芯片价格上涨固然有上游减产、下游需求共同推动，但基础仍不稳固。尤其下游消费电子市场是否已真正回暖，尚要继续跟踪。11月10日，佰维存储就2024年存储市场情况预判：“当前行业正在回暖复苏中，存储器价格的波动变化正在逐步的向下游传导，刺激客户补库需求。目前看到手机端的需求有复苏的迹象，明年的存储市场情况还得综合看PC和服务器等领域的复苏情况。”

佰维存储副总经理、嵌入式事业部总经理刘阳表示：“存储器价格波动变化正逐步地向下游传导，刺激客户补库需求。在区域性复苏和新产品升级需求的带动下，全球手机销量环比回暖，进一步拉动存储需求修复。此外，以ChatGPT为代表的新一代人工智能的快速发展带来存储需求的相应增加。”

刘阳指出，与其他存储产品正在复苏的需求不同，HBM（High Bandwidth Memory 高带宽存储器）的下游需求则颇为旺盛，在下游模型及服务器厂商升级服务器需求的情况下，加上原厂增加HBM产量，DRAM提前完成去库存计划，在今年第三季度率先触底反弹，回归上升通道。”

事物具有两面性。存储芯片价格上涨也将带来终端产品成本提升问题，此前就传出“华为旗舰款平板MatePad售价上调500元，或因存储价格上涨导致”的猜测。

国产存储芯片如何应对？

目前中国存储芯片厂商的产能规模还相对较小，中国存储芯片在全球市场份额仍较低，也无法满足国内需求。据TrendForce集邦咨询预测，2023年中国存储芯片市场份额将占全球市场份额的15%，而韩国存储芯片市场份额将占全球市场份额的60%。在这种情况下，存储芯片的定价权往往受韩国、美国控制，中国如果未来要做到影响控制芯片价格，需要从以下几个方面入手：

在技术研发方面，中国可以加大对存储芯片基础研究的投入，加强与国际先进技术的合作，加快先进技术的转化和应用。中国存储芯片产业正在快速发展，差距正在缩小。例如，长鑫存储已经量产了19nm的DRAM芯片，并计划在2024年量产14nm的DRAM芯片。此外，长江存储已经量产了232层的NAND Flash芯片，并计划在2024年量产256层的NAND Flash芯片。

在产能建设方面，中国可以引导国内存储芯片企业加大投资，建设先进的生产线。政府可以通过税收优惠、人才培养等方式，鼓励企业创新，提升技术水平。

在市场拓展方面，中国可以鼓励存储芯片企业积极开拓国际市场，提升全球竞争力。政府可以引导国内存储芯片企业加强协同合作，共同开发新技术、扩大产能规模、提高市场份额。

通过这些措施，中国存储芯片产业有望在未来实现突破，并在全球市场占据更大的份额，从而影响控制芯片价格。

文章来源： 证券日报，俏佳音，电子技术应用ChinaAET