聚对二甲苯衍生物（聚对二甲苯）用作保形涂料，广泛应用于汽车，医疗，电子，军事和半导体行业。它们是惰性的，透明的，并具有出色的阻挡性能，如电介质薄膜。由于它们的沉积是在真空下进行的，因此可以涂覆亚微米范围的缝隙，从而产生出色的阻隔性能（无空隙），并且它们具有非凡的纯度，这在电子应用中非常重要。并非所有聚对二甲苯衍生物都具有相同的介电性能（表1）。同样重要的是要注意聚对二甲苯的介电性能取决于其厚度，因此取决于其％结晶度，这将在下面进行解释。

表1：聚对二甲苯的类型和性质 ＊材料数据：MatWeb属性单元聚对二甲苯聚对二甲苯聚对二甲苯分子结构
化学式
C16H16C16H14Cl2C16H8F8光学的
透明透明透明生物相容性
是是是电性能
介电强度dc短时间伏／密耳700056006800介电常数（＠ 1 MHz）
2．662．952．17介电常数（＠ 1 kHz）
2．663．10
介电常数（＠ 60 Hz）
2．663．15
体积电阻率欧姆－厘米1．40e ＋ 178．80e ＋ 162．0E ＋ 17

以前，深入研究聚对二甲苯时，一些通用定义将有助于解释什么是介电强度和击穿电压。聚合材料的介电强度可以定义为施加电压下介电击穿电阻的量度（介电强度是通过将击穿电压除以样品厚度来计算的）。用单位厚度的伏特表示。值越高，材料越电绝缘。从技术上讲，绝缘子不导电，但是如果电场足够大，绝缘子就会击穿并导电［1］。Ó NCE击穿电压超过物理聚合物可燃烧或穿刺，可能会发生，这将导电［2］。必须记住，绝缘材料的厚度在确定其击穿电压时起一定作用，并且它不是线性的。

聚对二甲苯衍生物是部分结晶的［3］，［4］。沉积速率，厚度，沉积后热处理会影响聚对二甲苯的结晶度［3］，［5］。正如Kahouli报道的那样，聚对二甲苯C的介电常数根据幂律随膜厚度ε＇＝dβ增大，对于d ＜1000 nm，β＝ 0．042±0．04，对于d＞ 1000，β介电常数为0．0138±0．02。随着膜厚度的增加材料的空隙和不连续性的数量。这项研究的意义在于，通常从薄膜的整体样品中推测薄膜的电性能。这项研究报告了膜厚为40－83000 nm的基片上聚对二甲苯C膜的介电性能。据报道，该聚合物在40nm厚度以上变成半结晶。测得的临界膜厚度为1000 nm，低于该临界厚度时，介电常数会降低到体值以下［3］。图1显示了厚度与介电常数的关系。

图1聚对二甲苯－C的介电常数与厚度的关系［3］

在另一项研究中，在2 mm×2 mm面积的电容器结构上测量了Parylene C的电击穿电压，如图2所示，在该电容器结构上它用作介电层。介电强度。据报道，其击穿电压在整个电容器区域内保持恒定，这对于均匀且无针孔的层来说很典型。上述结果表明，Parylene C薄膜很适合用作微电子应用中的栅绝缘材料［5］。在另一项研究中，对聚对二甲苯C的击穿电压进行了研究，结果表明，断裂导致聚对二甲苯层变形，从而在薄膜中形成气泡（图3）［6］。

图2聚对二甲苯C薄层的击穿电压是其厚度的函数［5］。

图3测量后的样品：聚偏二甲苯C层中出现故障的缺陷（聚对二甲苯厚度为1．9 µm）的封闭［6］。
参考文献［1］“如何计算击穿电压”，《科学》。［线上］。可用：https：／／sciencing．com／calculate－breakdown－voltage－6728339．html。［访问：2020年2月20日］。［2］“介电强度：单位，测试方法和材料表。” ［线上］。可用：https：／／omnexus．specialchem．com／polymer－properties／properties／dielectric－strength。［访问：2020年2月20日］。［3］ A． Kahouli，“膜厚对聚对二甲苯C膜的结构，形态，介电和电性能的影响”，J。物理 ，卷 112号 6，第 064103，2012年9月，doi：10．1063 ／ 1．4752022。［4］ WR Dolbier和WF Beach，“ Parylene－AF4：具有出色介电和热性能的聚合物”，J。Fluor 。化学 ，卷 122号 1，第97–104页，2003年7月，doi：10．1016 ／ S0022－1139（03）00100－3。［5］ T． Marszalek，M。Gazicki－Lipman和J． Ulanski，“聚对二甲苯C作为有机场效应晶体管的通用介电材料，” Beilstein J． Nanotechnol。，卷 8号 1，第1532－1545页，2017年7月，doi：10．3762 ／ bjnano．8．155。［6］ A． Heid，R。von Metzen，A。Stett和V． Bucher，“在各种条件下检查Parylene C薄膜的介电强度”，Curr。先生 生物医学。。，卷 2，没有 2016年1月1日，doi：10．1515 ／ cdbme－2016－0012。