以易于与基材分离的方式生长硼烯,使一维成核成为可能

材料技术观察 2021-11-15

科普

992 字丨阅读本文需 3 分钟

如果莱斯大学研究人员的新方法能够付诸实践,硼烯可能会吸引更多材料科学家并实现他们的想法。

莱斯大学材料科学家的一项研究表明,有可能以一种易于与基材分离的方式生长硼烯(二维硼)。他们计算出,在六方氮化硼上生长的硼烯允许硼烯沿基板台阶边缘成核。图片来源:Ksenia Bets/莱斯大学

材料工程理论家赖斯的乔治布朗学院的鲍里斯Yakobson和他的小组建议的方法合成borophene,硼的2D版本,在某种程度上,可以更容易地释放或操纵。

根据该小组在美国化学学会期刊ACS Nano 上的论文,这将涉及在六方氮化硼(hBN)(一种绝缘体)上生长奇异材料,而不是在分子束外延 (MBE) 中通常使用的更传统的金属表面。

生长的硼烯和相对化学惰性的 hBN 之间较弱的范德华力将使材料更容易从基材上去除以用于应用。它还可以更简单地直接评估硼烯(无需将其从基板上提起)的等离子体和光子(即光处理)特性,因为没有金属基板干扰。这也将有助于对其电子特性的实验,这可能会让研究超导性的人感兴趣。

Yakobson 团队,包括第一作者和研究生阮启元以及合著者 Luqing Wang(莱斯大学的校友)和研究科学家 Ksenia Bets,计算了硼烯和 hBN 的原子级能量。他们发现阶梯式和平台 hBN 衬底鼓励漂浮在 MBE 室中的硼原子点燃,促进成核生长。

由于 hBN 与石墨烯一样,具有类似铁丝网的六边形晶格,其原子排列也允许在其表面形成的新晶体的边缘外延生长。在外延中,新材料的生长在一定程度上取决于下面的晶格。在这种情况下,这种增长发生在高原凸起的一侧。

特别是,精确的 ab initio 计算表明,硼原子对 hBN 台阶及其锯齿形边缘具有“高亲和力”,绕过了基板上任何其他位置对成核的阻碍。这使得晶体的生长开始在坚实的基础上。

贝茨说,表面上的台阶是一维实体,硼对台阶的亲和力使一维成核成为可能,众所周知,它没有热力学障碍。这是破冰船,因为成核几乎无障碍地发生,然后延伸到所需的二维硼烯中。

阮指出,在从物理化学的角度仔细研究了这个想法之后,困难的部分开始了。他说,最费力的部分是以最高精度呈现所有定量值和论点。对于我们的大型结构,这涉及使用相当昂贵且耗时的计算方法。

生长机制表明研究人员还考虑了流行的石墨烯作为基材。他们的计算表明,石墨烯的固有晶格能会在表面捕获硼原子或二聚体,并阻止它们使硼烯成核。

Yakobson 在预测硼原子可以做什么方面有着悠久的历史,然后观察实验室成功地接受挑战。他对最新的理论抱有同样的希望。

他说,这个过程看起来非常合乎逻辑,而且这种方式似乎令人信服,我们确实希望世界各地的实验家能够尝试一下,就像我们早先关于金属合成的提议一样。我们很乐观,但仍然保持祈祷。实验室中的意外通常意味着一个愉快的结果,但也意味着一个惊喜,可能是一个意想不到或不希望的障碍。

Yakobson 是材料科学和纳米工程的 Karl F. Hasselmann 教授和莱斯大学的化学教授。

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