存储单元+处理器的集成:新型纳米线晶体管可实现未来的超级计算机?
多年来,技术发展的瓶颈一直是如何让处理器和内存更快地协同工作。现在,瑞典隆德大学的研究人员提出了一种将存储单元与处理器集成的新解决方案,该解决方案可以实...
多年来,技术发展的瓶颈一直是如何让处理器和内存更快地协同工作。现在,瑞典隆德大学的研究人员提出了一种将存储单元与处理器集成的新解决方案,该解决方案可以实...
【导读】近日,一位法国开发者Chloé Lourseyre在她的个人博客上提出了「猫猫计算机」的概念。由此,她提出了一个天马行空的想法:猫是不是「图灵完备」的?它是「图灵机」吗...
相信我们都有所体会,当我们在购买苹果手机时,不同的内存大小价格也差距很大,这个内存指得就是闪存(Flash),苹果是第一家利用闪存来存储数据的公司。闪存又包括NOR Fla...
前言:人工智能时代,随着AI应用的普及,AI领域迫切需要性能更强、功耗更低、成本更低的芯片。这其中,以深度学习为代表的AI算法更需要频繁地进行数据存取,低功耗和高性能之间的...
所有事物的发展都代表了当下时代对其提出的新要求,半导体行业也没有例外。前日,阿里达摩院发布了全球首款使用混合键合3D堆叠技术实现存算一体的芯片,在行业内引起了不小...
近日,德国莱尔克斯研究院成功研制出一种可为老人及儿童提供看护服务的。其能与空巢老人对话,开开玩笑、讲讲新奇特的事情;能陪伴儿童玩玩游戏、讲故事;照看宠物;还能识...
2022年8月8日, 上海 - 全球移动机器人市场的领导者- Mobile Industrial Robots(以下简称:MiR)与智能存储解决方案制造商Modula面向全球市场,联合发布全新自动化存储、拣...
三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来...
早在2018年,锤子科技就将1TB存储引入到了智能手机中,时隔三年后,苹果也为iPhone 13 Pro/iPhone 13 Pro Max带来了1TB存储的版本。然而日前有研究报告指出,芯片短缺问题或...
性能方面,长存透露,两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能,3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上一代64层的5.33倍。据悉,两款产品均采用长存自研Xtacking 2.0架构,外围电路和
当今的内存格局包括不同类型的内存,每一种内存都在存储数据并将它们来回馈送到电子系统的计算部分中发挥作用。在传统的计算机层次结构中,快速且更昂贵的有源存储器(静态...
近日,美国NEO半导体(NEO Semiconductor)公司宣布公布了全球首款3D DRAM技术,旨在解决内存容量密度提升的瓶颈。 NEO半导体公布3D X-DRAM技术:230层堆栈,容量提升8倍!...
存储器是半导体产业的重要分支,约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。存储器已经形成主要由DRAM与Flash构成的超千亿美元的市场。尽管存储器产品品类众多,但从产品营收...
澳大利亚墨尔本皇家墨尔本理工大学的科学家开发了一种新型的“电子皮肤”,可以使机器人和其他机器对触摸和接触更加敏感。研究人员说,他们的“疼痛感应”原型模仿了人体近...
一块SSD硬盘最核心的元件莫过于主控和闪存。日前,在美光的投资者会议上,官方演示232层闪存时提到,SSD未来将使用内部和外部主控,其中内部主控的意思是闪存芯片和主控合二...
自从2.5D/3D封装、Chiplet、异构集成等技术出现以来,CPU、GPU和内存之间的界限就已经变得逐渐模糊。单个SoC究竟集成了哪些逻辑单元和存储单元,全凭借厂商自己的...
存储芯片涨价潮大有愈演愈烈的态势。多项存储芯片都已经/即将涨价,包括DRAM及非易失性存储芯片NAND闪存、EEPROM。 1、NAND闪存方面,涨价潮源头在于西部数据与铠侠合资厂污...
在嵌入式开发中,如果芯片内部有Flash,应用程序通常保存在芯片内部FLASH中,比如Cortex-M系列的单片机;如果芯片内部没有Flash,则应用程序通常保存于外部的NAND FLASH中...
来自东京工业大学的科研团队近日研发出可堆叠内存,其传输速度是 HBM2E 内存的 4 倍,功耗仅为五分之一。 科研团队将其命名为 BBCube,最大的亮点在于去除了传统内存的逐层...
专业半导体研究结构TechInsights发现,挖矿公司MinerVa的比特币矿机中,赫然使用了中芯国际7nm工艺制造的芯片!TechInsights公布了该矿机的电路板、芯片内核照,可以看到一...
三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来...
逻辑反、空操作与结束指令(INV/NOP/END)1)INV(反指令) 执行该指令后将原来的运算结果取反。反指令的使用如图10所示,如果X0断开,则Y0为ON,否则Y0为OFF。2)NOP(空操...
几十年来,NAND-Flash 一直是低成本和大密度数据存储应用的主要技术。这种非易失性存储器存在于所有主要的电子终端市场,例如智能手机、服务器、PC、平板电脑和 USB 驱动器...
自1966年被IBM研究中心的Robert H. Dennard发明至今,动态随机存取存储器(DRAM)已经经过了数十年的发展,并成为存储器市场最大的细分领域,占据了58%的存储器市场规模。 ...
8月2日,国产闪存制造商长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上宣布,正式推出了基于晶栈?3.0(Xtacking?3.0)技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。消息显示,该3D NAND闪存堆...
磁随机存储器(Magnetic random access memory,MRAM)是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性(Non-Volatile)随机存储器之一(图1)。 与其他存储技术相比(表1),...
计算架构的瓶颈与突破方向随着人工智能计算的需求剧增,现有计算架构遭遇功耗墙、性能墙、内存墙、摩尔定律趋缓等挑战迫切需要计算架构的创新,解决路径主要体现在两点:突破计...
8月3日,世界第二大存储芯片制造商韩国 SK 海力士(SK Hynix)宣布,已经开发出最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及...
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