12月23日消息，近日，证监会发布公告称，我会按法定程序同意苏州东微半导体股份有限公司科创板首次公开发行股票注册，将与上海证券交易所协商确定发行日程，并陆续刊登招股文件。

东微经营状态良好，净利润增长幅度高达504．34％

据了解，苏州东微半导体最早在2021年11月19日提交了招股说明书（注册稿），注册申请科创板IPO上市。

根据招股说明书内容，东微半导体拥有逾 900 种功率半导体产品型号，特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源汽车车载充电器、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等领域。

并且东微半导体的主要经营销售的产品为 MOSFET 产品，包括高压超级结MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。在未来几年里，东微半导体将继续投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技术开发。

截止2021年9月30日，东微半导体资产总额为56364．37万元，同比增长28．79％，其2021年前三季度的总营收为为55919．47万元，同比增长183．11％，增长速度迅猛，净利润为9276．86万元，同比增长504．34％，东微半导体表示，公司的营收和净利润出现大幅度增长，主要受益于于新能源汽车充电桩、通信电源、5G基站电源等终端市场需求快速提升，客户对公司的采购规模得到大幅度增长。

（图源东微招股说明书）

本次上市成功后，东微半导体预计将募集到的资金在金扣除发行费用后，继续加码公司主营产品超级结与屏蔽栅功率器件，并用于科技与发展储备资金项目中，具体情况如下：

（图源东微招股说明书）

MOSFET市场前景良好，东微获华为哈勃、聚源聚芯增资

据Omdia统计数据显示，2020 年度全球高压超级结 MOSFET 产品的市场规模为 9．4 亿美元，并将于 2024 年达到 10 亿美元。采用超级结结构的高压 MOSFET 相对于普通高压MOSFET 具有更高的成长性，预计在高压 MOSFET 市场的占比将持续提升。

目前，东微半导体司在高压超级结技术领域拥有包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。

受益于MOSFET产品良好的市场前景以及东微半导体 MOSFET 功率器件的良好表现，中芯国际控股子公司持股的聚源聚芯及华为哈勃纷纷加码东微半导体。

在2017 年 3 月 20 日，聚源聚芯与东微有限签署《苏州东微半导体有限公司投资协议》，约定由聚源聚芯向东微有限投资 2000万元，成为东微半导体第四大股东，占股11．3636％。

2020 年 4 月 29 日，哈勃投资与东微有限股东签署《增资协议》，约定哈勃投资向东微有限投资 7530万元，自此华为哈勃成为东微半导体的第6大股东，占股7％。

在经历了多次增资之后，东微半导体的前10股东与股本结构如下所示：

（图源东微招股说明书）

新兴产业助力MOSFET器件迅猛发展

据了解，东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，其超级结 MOSFET产品已被广泛应用于热门领域如新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源等领域。

新能源汽车充电桩

近年来，国内新能源汽车产业持续火热，在2020年，新能源汽车充电桩更是被列入国家七大“新基建”领域之一。2020 年 5 月两会期间，《政府工作报告》中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。

近几年来，国内充电站保有量已由 2015 年 1069 座增加到 2019 年的 35849 座，复合年增长率为 140．64％。

而充电站所需要用到的功率器件主要以高压MOSFET 为主。超级结 MOSFET 因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品。

5G基站

目前全球范围内正火热兴起的5G基站建设同样需要用到MOSFET功率器件。

2019年中央经济工作会议提出要加快5G商用步伐；2020年3月中央政治局常委会会议突出强调，要加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度；

到了今年的12月20日，全国工业和信息化工作会议在北京召开。会议介绍，今年以来，我国已建成开通5G基站超过130万个，5G终端用户达到4．97亿户，居于全球第一。

因为5G基站的功率要求较高，且建设密度密集，需要大量的电源供应需求及性能强劲的功率半导体器件，所以5G基站事业的发展，将进一步拉动功率器件产业的发展。

据了解，4G 基站所需功率为 6．877kW，而 5G 基站所需功率为 11．577kW，提升幅度达到 68％。对于多通道基站，功率要求甚至可能达到 20kW。更高的覆盖密度、更大的功率需求对 MOSFET 等功率器件产生了更大的需求。

其中，东微半导体的主要产品超结级MOSFET功率器件使用了电荷平衡理论，能够显著降低高电压下 MOSFET 单位面积的导通电阻，并且超级结 MOSFET 拥有极低的 FOM 值，可实现极低的开关能量损耗和驱动能量损耗，这就使超级结 MOSFET 可以很好地满足 5G 基站建设需求。

新能源汽车

同样的，随着现在汽车行业正逐步向着智能化方向推进，新能源汽车的发展势头不止，而相较于传统燃油车，新能源汽车对于车规级功率器件的需求量更大。

根据2020 年 11 月国务院印发的《新能源汽车产业发展规划（2021－2035 年）》数据显示，2025年新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20％左右，年总销量将达到500－600 万辆。以2025年年总销量600万辆测算，未来5年新能源汽车新车销售复合年均增长率为 34％左右。

新能源汽车产业的快速发展，代表着汽车行业对于半导体芯片的需求增加，根据Strategy Analytics 提供的数据分析，传统燃料汽车中功率半导体芯片的占比仅为 21．0％，而新能源汽车中功率半导体芯片的占比高达 55％。而IGBT、MOSFET等多项功率半导体是源汽车价值量提升最多的部分。

综上所述，新能源汽车、5G 通信基站建设、充电桩等行业的迅猛发展，将带来巨大的功率半导体旗舰需求。

全球功率半导体市场潜力巨大

众所周知，近几年来，全球的半导体行业发展势头良好，半导体芯片市场普遍处于供不应求状态，多家半导体厂商受益于此，营收大增。根据 Omdia 数据显示，2019 年全球功率分立器件市场规模约为 160 亿美元。MOSFET器件是功率分立器件领域中占比最大的产品，全球市场份额达到 52．51％；

目前，国内的功率半导体产业还在持续发展，市场规模庞大，是全球最大的功率半导体消费国，2019 年国内功率半导体市场规模达到 177 亿美元，增速为－3．3％，占全球市场比例高达 38％。预计未来国内功率半导体市场将继续保持平稳增长，2024 年市场规模有望达到 206 亿美元，

如今，东微半导体即将上市，将募集到大量资金，再加上其自有的高压超级结MOSFET技术，将为其带来强劲的核心竞争力，在全球及国内的功率器件市场里占据一席之地。