具备低功耗和小体积等优势的LPDDR

随着可移动设备的发展

逐渐进入大家的视线

技术迭代更新越来越快

对LPDDR的质量与可靠性要求进一步提高

其测试变量也变得越来越多

比如

漏电流测试、协议测试、

开短路测试、时序测试、高温测试等

Q

＠“有人”

测试不能给LPDDR增加功能，也不能提升性能，对产品本身，不体现价值．．．．．．

A

＠江小编

确实，测试不能改变芯片制造的质量，只能在现有质量条件下进行度量。但是，制造缺陷或者瑕疵会对LPDDR的正常工作带来一定影响。

就拿漏电流测试来说，如果LPDDR存在漏电流异常，应用到手机、笔记本电脑等终端设备时，轻则会增加LPDDR的功耗，降低续航力，重则可能会发生故障或烧毁等问题。

并且测试本身就是设计的一环，对于像江波龙这样拥有芯片设计能力的企业来说，测试的重要性不亚于电路设计本身。

为了帮助内存设计师和工程师应对调试和验证内设计时不断面临新的挑战，江波龙在进行LPDDR3／4／4X的信号测试时，通过Turbocats测试机台，进行IDD／Leakage、O／S、Pattern存储、算法、Schmoo／Timing、高温85℃等测试，并支持1333～3200Mbps速率和178／200／221／254 Ball数的产品测试。

存储芯片技术工程实验室（创新实验室）集研发设计、失效分析、工程验证和联合开发于一体，是江波龙电子重要的质量保证技术服务平台。实验室配备先进的研发试验设施和高素质的研发团队，研发场所面积为846．72㎡，2021年5月底建成并正式投入使用。