5月13日消息，此前外界有传言称，三星3nm制程工艺遭遇难题，良品率仅有20%~30%，可能会拖延量产的进程。今天，电子时报最新报道显示，三星3nm制程的良品率问题已得到解决，将按照计划在第二季度开始量产。

三星在一季度的电话会议上就曾向股东们承诺，3nm制程会按照计划进行，以此来消除股东们对网上传言产生的疑虑和担忧。三星表示，目前5nm制程已进入批量生产的成熟阶段，4nm制程产能也在逐步改善。公司内部还在改善3nm制程的节点开发体系，每个开发阶段都有一个验证流程，这有助于缩短产能爬坡期。

3nm制程是台积电与三星都在激烈竞争的一个新节点，也将带给半导体芯片行业又一次性能上的飞跃。目前，台积电的3nm制程依旧使用FinFET晶体管技术，而三星则相对激进一些，全球首发更加先进的GAA晶体管技术，希望以此来追赶甚至超越台积电。

三星介绍称，GAA是一种新型环绕栅极晶体管，可显著增强晶体管的性能。与7nm制程相比，3nm GAA制程的逻辑面积效率提高45%，功耗降低50%，性能提高约35%，纸面数据是要强于台积电3nm FinFET工艺。如果三星3nm GAA工艺的表现能达到理想水平，功耗、产能问题都能得到妥善解决，那真的有机会一举追上台积电。

在芯片代工市场，三星和台积电已经是多年的老对手了。一直以来，台积电都领先三星一头，特别是在7nm、5nm等先进工艺时代，台积电的优势更为明显，几乎垄断了全球先进工艺的产能，高通、AMD、联发科等都与台积电达成合作，苹果更是成为台积电的最大客户。按照计划，台积电3nm工艺会在今年第四季度量产，而英特尔可能会拿下首发。

由于7nm、5nm工艺上的失利，三星决定押宝更先进的3nm GAA制程工艺。不仅比台积电更早进行技术研发，连量产日期也比台积电早半年左右。前阵子有消息称，高通、AMD等品牌已经与三星达成合作，很可能会首发3nm制程工艺。希望三星这次能带给大家更多惊喜，在3nm制程上一鸣惊人吧。

来源：雷科技