在全球频频传出芯片供给过剩的情况下，媒体报道指中国存储芯片双雄长江存储和合肥长鑫进一步加速扩张，复制三星的逆周期扩张模式，力求追赶全球存储芯片企业，缩短差距。

中国存储芯片双雄逆周期扩张

长江存储生产的是NAND flash存储芯片，2021年已取得大约4%的市场份额，业界预期它今年可望将份额提升至7%，超过Intel成为全球前六大NAND flash存储芯片企业。

数年时间就从零起步到跻身全球前六，长江存储的发展速度已相当凶猛，不过长江存储并未就此止步，据此前的消息指出长江存储早在2020年中就已筹建存储基地项目二期，目前正在加速推进，预计未来两年就能投产，其二期项目的月产能为20万片，一期项目为10万片，如此两年多之后NAND flash芯片产能将增加两倍。

与长江存储的扩张步伐类似，生产DRAM存储芯片的合肥长鑫也已在去年就已筹建二期项目，并且它的扩张脚步比长江存储更快，业内人士指合肥长鑫预计二期项目最快在明年就将投产，如此它的DRAM存储芯片产能将从当前的月产4万片猛增至12.5万片。

早前知名苹果分析师郭明錤和市调机构Gartner等都已指出全球芯片行业已出现供给过剩迹象，郭明錤表示当下的手机芯片已存在较多库存，手机企业砍单两成；分析机构则认为最快到明年就会出现芯片供给过剩，预计明年最严重的情况可能出现芯片需求下滑超过两成的状况，如此情况下中国的存储双雄可谓逆周期扩张。

逆周期扩张理念是首先由三星提出并推行的，当年三星和日本存储芯片企业进行竞争的时候，三星往往选择在存储芯片价格下行周期大举扩张，采购设备，而日本存储芯片企业则担忧亏损问题而选择收缩。

三星认为在存储芯片价格下行周期扩张的好处在于无需与他人争抢芯片制造设备，此时的芯片制造设备价格又低，只要熬过去，那么就能成为赢家，结果三星用10多年时间成为全球最大的存储芯片企业，而日本的存储芯片企业日渐萎缩，其中日本的尔必达等存储芯片企业最终倒闭，成就了三星。

国产存储芯片开始提速，实现从0到1突破

存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。

根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。

国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？

第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线

对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。

可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域，探索新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。

昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。

基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。

值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。

第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片

相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。

DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。

DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。

然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。

若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。

国产存储芯片崛起

存储芯片的重要性毋庸置疑，无论是智能手机、个人电脑还是超级计算机、服务器、云计算等诸多领域都离不开存储芯片的身影，在某种程度上来说存储着数据的存储芯片的重要性丝毫不亚于中央处理器芯片。

我国作为全球规模最大的存储芯片市场，每年存储芯片的需求占比高达36%；但和巨大的需求相比，存储芯片的自产率长期以来一直是刺眼的0。“巨大市场需求”加上“低自给率”毫无疑问就是需要突破的重点，伴随着国家集成电路产业投资基金的设立以及总投资高达1600亿元人民币的国家存储器基地的建设，国产存储器开始了高速的发展。

包括长江存储、长鑫存储、兆易创新等存储芯片厂商纷纷发力开始抢夺市场，其中长鑫存储的17nm工艺DRAM芯片良品率已经达到了40%，将于2022年第二季度开始供货DDR4内存，同时长鑫还会继续研发更为先进的 7nm 及以下工艺的 DDR5内存。

长江存储则在NAND领域发力，不但推出了自主研发的“Xtacking”架构，经过不懈地努力已经实现了128层3D NAND存储芯片量产，距离三星等厂商的176层3D NAND仅仅相差了一代技术。基于“Xtacking”技术使得长江存储的NAND写入和擦除的综合速度达到3Gbp/s，即使对比三星的V-NAND 3D堆叠技术也毫不逊色，因此也打入了华为Mate40系列手机并完成了国产化替代。

长江存储还打造了民用品牌致钛进入消费市场进行竞争，其中旗舰级的致钛PC005 Active可以实现高达3500MB/s的顺序读取速度以及最高2900MB/s的顺序写入速度，可以完全满足设计以及电竞发烧友的需求。也用实际产品打消了人们对于国产存储芯片真实性的怀疑。

国产存储芯片的崛起已经势不可挡，根据数据统计显示，预计2022年国产存储芯片占全球市场份额将达到4%，而到2025年预计国产芯片占全球市场份额将达到12%。

就像在家电、通信、航空航天、高铁等领域完成国产化一样，如今的国产存储芯片正走在自己前辈的道路上，从无到有最终实现完全替代，而三星也正在逐渐迎来自己电子王国的黄昏。

文章来源： 趣味科技秀，区块前沿科技，柏铭007