IT之家 6 月 14 日消息,3D NAND 200 层堆栈以上赛局加速展开,存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家 232 层堆栈 3D NAND 闪存将于 2022 年底前率先量产。
据 DigiTimes 报道,近日市场传言称,长江存储将跳过原定 192 层技术,直接挑战 232 层 NAND,并于 2022 年底量产。
IT之家了解到,长江存储已推出 128 层 3D NAND 闪存,此前有消息称已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品。
此外,市场观察人士认为,三星电子预计将在 2022 年晚些时候加入 200 层以上 3D NAND 闪存的竞争。
来源:IT之家
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