早前传出美国要求ASML不要向中国出售DUV光刻机，DUV光刻机本来是成熟的技术，为何美国还要如此做？日前外媒披露的信息或许能解释这一原因，中国芯片制造工艺已成功突破。

据外媒引述国外科技领域博客“科技洞察”透露的消息指中芯国际其实早在去年7月就已经量产接近7nm的工艺，估计是利用现有的DUV光刻机实现了这一工艺的量产，如此的技术突破让美国颇为吃惊。

目前美国在先进工艺方面已经落后，美国最大的芯片制造企业Intel的先进工艺是10nm，当前Intel正在推进7nm工艺，预计最快得在今年下半年量产，如此也就意味着中国大陆在芯片制造工艺方面已领先于美国。

面对在先进工艺方面的落后，颜面尽失的Intel重新对旗下的先进工艺命名，它认为自己即将量产的7nm工艺在性能参数方面接近于台积电的4nm工艺，因此将7nm工艺改名为Intel 4工艺，然而即使如此依然难以掩盖美国在先进工艺方面的窘境。

由于美国在先进工艺方面的落后，目前美国的芯片企业大多将芯片制造交给了亚洲的三星和台积电，此前分析机构指出美国芯片大约有七成是由亚洲这两家芯片代工企业生产的，Intel也因自己的先进工艺落后而计划抢夺台积电的3nm工艺产能。

在先进工艺的竞赛中，韩国三星和中国台湾的台积电无疑居于第一阵营，而且台积电在先进工艺方面又稍微领先于三星，它们当下都在推进3nm工艺的量产，三星已宣布在今年6月最后一天量产3nm，台积电预计近期量产3nm。

至于第二阵营的联电、格芯和中芯国际，联电和格芯已宣布停止研发7nm及更先进工艺，因为它们已无法承受先进工艺的高额研发投入以及巨额投资，中芯国际则是第二阵营中唯一一家研发7nm及更先进工艺的芯片代工企业。

不过由于众所周知的原因，中芯国际一直无法获得先进的EUV光刻机，但是中芯国际并未因此而停止先进工艺的研发，希望依靠现有的DUV光刻机生产7nm工艺。事实上台积电的第一代7nm工艺就是以DUV光刻机生产的，只不过相比起用EUV光刻机生产7nm工艺，DUV光刻机的成本会高许多。

如今中芯国际成功量产接近7nm工艺，代表着中芯国际已跳出第二阵营，开始向第一阵营进发；Intel则因7nm工艺量产困难而迟迟未量产，这也意味着美国在7nm工艺上已落后于中国，这自然让美国难受，如此也就难怪它试图连成熟的DUV光刻机都不希望ASML卖给中国了。

美国在先进工艺方面的落后，代表着美国在科技领域的停滞，事实上这20年美国已有太多科技落后于全球先进水平了，除了先进工艺之外，美国在移动通信技术、互联网科技、物联网等行业都已落后。

相比之下，作为后起之秀的中国在先进科技方面不断突破，这源于中国人在技术研发方面的优势，据悉美国的技术研发工程师有相当大比例都是华裔，凸显出中国人在技术研发方面的天赋，如此也就不难理解美国千方百计阻止ASML向中国销售光刻机了。