众所周知，在存储芯片领域，三星、美光、SK海力士等几大巨头牢牢的控制着市场。这几大巨头，不仅市场份额非常高，同时技术很先进。

而中国作为全球最大的芯片消费市场，之前存储芯片的份额接近于0，一直就是靠进口，每年要付出大量外汇。

后来国内成立了三大存储芯片基地，长江存储、福建晋华、长鑫存储，想要打破国外垄断，研发中国人自己的存储芯片。

不过福建晋华被打压，基本上就处于停滞状态了，只有长江存储专注于NAND闪存，长鑫存储专注于DRAM内存，并且这几年发展迅速，实现了从0到1的突破，打破了国外的垄断。

但从技术上来看，长江存储也好，长鑫存储也好，较国际先进水平还是有一点距离的。

而昨天，长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上正式宣布，公司推出了基于晶栈®3．0（Xtacking®3．0）技术的第四代TLC三维闪存X3－9070。

而按照业内人士对这个闪存产品的分析，表示该3D NAND闪存堆叠层数或已达到了业界领先的232层。

232层是什么概念？美光在7月份的时候，才发布全球首款232层3D NAND芯片，并表示在年度底量产。

而SK海力士在今天才表示，他们研发出了238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，于明年上半年实现量产。

而长江存储顺利推出232层堆叠的X3－9070，意味着当前国产存储芯片，在NAND产品上，已成功追上业界顶尖水平。

长江存储2016年才成立，仅6年时间就追了上来，凭的是什么？当然是自研的Xtacking技术了，也称之为“晶栈”技术。

通过Xtacking技术，可以获得更高的存储密度，更低的成本。且长江存储的Xtacking技术还发展到了第三代，一代比一代更强，存储密度更高。

对此，不知道大家怎么看？早几天有媒体报道称，美国拟禁止用于128层以上的半导体设备卖到中国大陆来，以便围堵中国存储芯片的发展。

现在232层的技术都推出来了，这个对128层设备的围堵已经不起作用了，接下来是不是要提升一下层数了，比如禁止232层技术以上的设备了？