为人工智能“补芯” 浙江首个微纳智造小镇落户临安

浙江新闻网 2018-01-17

临安传感器

939 字丨阅读本文需 2 分钟

2270.26亿美元,这是中国2016年集成电路进口金额,然而庞大数字的背后却是中国缺“芯”的隐痛。

  补齐创新短板,浙江正在发力。1月16日,浙江首个以“智能传感”命名的小镇——青山湖微纳智造小镇,在杭州临安区青山湖科技城开园,打响了青山湖科技城2018年第一炮。

  上至关乎国防安全的军事装备、卫星、雷达,下至关系普通百姓生活的医疗器械、汽车、电视、手机、摄像机,甚至智能儿童玩具,都离不开它。

  为此,2017年12月4日,浙江省政府出台《浙江省新一代人工智能发展规划》,提出优化人工智能产业布局。12月15日,省政府与中国电子科技集团签署全面战略合作协议。

  可以说,在这样的背景下,青山湖微纳智造小镇一出生,便自带光环。

  青山湖微纳智造小镇规划总面积3.17平方公里,由青山湖科技城、中电海康集团、上海微技术工业研究院、浙江省物联网产业协会等共同打造。

  小镇规划了创新创业园、众创服务区、产业孵化区等功能区块,以智能传感器及芯片设计研发、封装测试和智能传感器集成为产业方向,将围绕智能传感器产业上下游,形成产业示范带动作用。“它有望成为我国智能制造领域的重要拼图,扭转中国‘缺芯’的尴尬局面。”浙江省科技厅厅长周国辉说。

  开园当天,国家智能传感创新中心(筹)青山湖中心、中国科学院光电研究院超快激光技术研发中心、国家光学仪器工程技术研发中心智慧光子研究中心等10个首批入驻小镇的项目举行了签约仪式。

  比如,国家02专项光刻机浸液系统研制与中试基地项目将集中力量研发浸没式光刻机的核心部件之一浸液系统。该项目有望打破国外垄断,打造拥有自主知识产权的高端光刻机设备,甚至对于我国芯片产业发展都具有重大意义。

  比如,已进入到安装调试设备阶段的磁旋存储芯片研发及中试基地项目(新型存储芯片—STT-MRAM),由中电海康集团投资15亿元建设。磁旋存储器(MRAM)是一种新型高端存储器,具有读写速度快、重写次数高、掉电数据不丢失、抗辐射和抗恶劣环境能力强、能耗低等特点。项目实施后将填补我国在高端存储芯片领域的空白,有利于我国早日掌握电子信息领域核心自主技术和知识产权,促进国家网络安全和信息化战略的实施。

  同时,中国传感器与物联网产业联盟分联盟、浙江省物联网产业协会传感器开发应用分会也在小镇挂牌成立。

  目前,小镇及周边已集聚了杭叉集团、杭氧股份、华立集团、鸿雁电器、南都电源等一批传感及物联网应用企业集团,百余家相关产业科技型小微企业在这里快速成长,产业应用前景十分广阔。

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