ROHM开发了具有±40V/±60V耐压的双MOSFET产品(Nch+Pch)，QH8Mx5/SH8Mx5系列。这些器件非常适合驱动基站（冷却风扇）和工业应用中的电机，例如需要 24V 输入的工厂自动化设备。
近年来，越来越要求 MOSFET 通过提供 40V 和 60V 耐压来支持工业设备和基站中使用的电机所需的 24V 输入，以确保足够的电压波动裕度。此外，MOSFET 有望提供更高速的开关和更低的导通电阻，以进一步提高电机的效率和小型化。
作为回应，罗姆继去年年底发布最新一代 Pch MOSFET 后，利用最新的 Nch MOSFET 精密工艺开发了第 6 代 40V/60V MOSFET。这种组合使 ROHM 能够提供一流的双 Nch+Pch MOSFET，可提供 24V 输入所需的 ±40V/±60V 耐受电压。此外，该公司还开发了+40V/+60V QH8Kxx/SH8Kxx (Nch+Nch) 系列以支持更广泛的需求。（Nch+Pch和Nch+Nch共12款）
QH8Mx5/SH8Mx5系列采用独创的最新工艺，实现了同类领先的低导通电阻，比±40V级双MOSFET产品中的Pch MOSFET低61%。这有助于在各种应用中显着降低功耗。此外，将 2 个器件集成到单个封装中有助于通过减少安装面积和减少组件选择（组合 Nch 和 Pch）所需的工作量来实现应用的小型化。
接下来，罗姆将继续扩大产品阵容，包括用于需要更高电压的工业设备的 100V 和 150V 产品，为满足各种应用的低功耗和小型化的市场需求做出贡献。
主要特点
1.实现同类领先的低导通电阻
利用最新工艺，我们能够开发出一流的双 MOSFET，与竞争对手的 ±40V 产品相比，Pch 和 Nch MOSFET 的导通电阻分别降低了 61% 和 39%。这有助于在各种应用中显着降低功耗。
双产品配置有助于进一步小型化，同时减少设计负担
在单个封装中集成两个 MOSFET 可减小应用尺寸以及器件选择所需的设计负载。在小型化方面，用这些新的 TSMT8 型号替换现有的双 Nch+Pch SOP8 产品可将安装面积减少多达 75%。
2.结合前置驱动IC，实现最佳电机驱动方案
将这些新产品与 ROHM 经市场验证的用于单相/三相无刷电机的预驱动器 IC 相结合，可以考虑使用更低功耗和更安静驱动器的更小电机。通过为将我们的双 MOSFET 系列与预驱动器 IC 相结合的外围电路设计提供全面支持，罗姆能够提供满足客户需求的最佳电机驱动解决方案。
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