IDM已然“失势”,Fabless和晶圆代工才是下一代晶圆制造的“新宠”

微观人 2021-11-20

晶圆代工idm

4860 字丨阅读本文需 11 分钟

对于全球半导体企业而言,2021年无疑是个好年景。

按照IC Insights统计,由于Covid-19大流行导致的习惯改变,以及随后的经济反弹,预计2021年全球半导体市场将增长23%,半导体单位出货量将增长 20%,此外,半导体平均总销售价格(ASP)也将上涨3%。增长23%将是自2010年以来全球半导体市场的第二大涨幅,当年的增长率是33%,那是2008年金融危机之后复苏,使得全球半导体销售额飙升。

本周,IC Insights发布了全球销售增长率25强芯片企业的预测排名。

在这25家芯片企业中,IC Insights预测今年10家公司芯片收入将增长30%以上,23家收入预计将实现两位数的增长。然而,在全球半导体销售额预计将增长23%的这一年,全球第二大芯片厂商英特尔的收入预计将下降1%。全球第18大芯片厂商索尼(Sony)预计收入将下降3%。

排名前四的AMD、联发科、英伟达和高通表现最为抢眼。预计AMD有望以65%的销量增长高居榜首,联发科今年有望实现60% 的收入增长,英伟达的收入增长将达54%,高通销售额将跃升 51%。

从这份榜单可以看出,排在前五位的没有一家传统的IDM厂商,前四都是Fabless,排在第五的SMIC(中芯国际)是晶圆代工厂(Foundry)。

排在第二阵营(第6~10名)的5家厂商,虽然有四家是IDM(只有格芯一家是Foundry),但在这四家中,有三家是全球存储器三强,它们能排在这样的位置,主要是得益于最近几年存储器市场的火爆,作为芯片市场上的大宗商品,存储器的长期供不应求以及价格高位,使得这三家可以“躺赢”。

虽然25家厂商的整体表现不错,但增长率最高的四家都是Fabless,且增幅明显高于后面的厂商,此外,四家纯晶圆代工厂商TSMC、UMC、GlobalFoundries和SMIC的排名也都比较靠前。

这样,虽然整体形势不错,但相对而言,IDM的表现就逊色了,特别是传统霸主英特尔,今年的增长率预计为负数。这就更加凸显出Fabless的高速增长态势。

综合来看,这四大Fabless的销售总额预计将从2020年的548亿美元增长到2021年的854亿美元,增幅达56%!令人惊讶的是,这四家公司今年预计的总销售额将增长306亿美元,占今年全球芯片市场预计的974亿美元增长的31%。此外,为Fabless生产芯片的主要晶圆代工厂也必将实现强劲的销售增长。

因此,这是一个属于Fabless和晶圆代工的时代,两者珠联璧合,相得益彰,而IDM就有些相形见绌了。

Fabless和晶圆代工的好时代

在全球半导体产业发展初期,是不存在IC设计和制造分工的,只有一种IDM模式,随着市场和产业发展,一些规模较小的厂商,因为财力有限,无法负担自有晶圆厂,因此,就会把设计的芯片交给实力较为雄厚的IDM制造,这是最早的代工模型。然而,早期在专利保护意识缺乏的情况下,将设计出来的芯片交给其他IDM制造,存在着较大的产品安全风险,即竞争对手很可能会掌握你的芯片信息。

这样,晶圆代工模式应运而生,1987年,台积电创建,开创了一个新的时代。自那以后,随着市场和产业发展,无晶圆厂的Fabless数量逐年增加,给晶圆代工厂带来了滚滚财源,也因此,更多的Foundry涌现出来,不过,与越来越多的Fabless数量相比,Foundry的数量还是相对有限的,直到今天依然如此。毕竟,由于重资产和高技术密集的特点,筹建一家Foundry的难度要远大于Fabless。

Fabless最大的特点就是灵活,相对于IDM而言,其对技术和市场应用的发展嗅觉更为灵敏,船小好掉头嘛。这种优势在技术和应用快速变化和发展的时期,会加倍放大。而最近这些年,正是技术和应用快速变化和发展的时期,如智能手机的日新月异,AI的兴起,以及CIS、TWS、OLED等市场的暴涨,都给相应的Fabless提供了绝佳的发展机遇,英伟达、高通和联发科,以及中国本土多家处于创业期的Fabless,都赶上了这一时段,营收大涨。而IDM则很难做到这一点,主客观条件都不允许。

对于Foundry来说,由于长期专注于晶圆代工业务,且给自己的定位明确,并能持之以恒;另外,这种商业模式的多客户、多产品线、多制程特点,比IDM和Fabless更加厚重且多元,某种程度上,其抗风险能力更强。

除了自身特点之外,Fabless和Foundry能够交出亮眼的业绩,且在未来几年内的年复合增长率大概率会高于全行业平均水平,还有多种市场因素,主要包括以下几点:终端设备的芯片元器件用量逐年提升;IDM芯片制造外包业务增加;设备和互联网厂商自研芯片增加等。这几大增量市场内的芯片大都需要交给晶圆代工厂生产,因此,未来几年Foundry的业绩很值得期待。

晶圆代工三大模式分别代表半导体行业发展阶段

1.设计与工艺相互依存,IDM成为早期半导体公司的标配

自 1947 年贝尔实验室的 John Bardeen 和 Walter Brattain 发明晶体管,至 1984 年全 球第一家 Fabless 公司 Xilinx 创立,以及 1987 年全球第一家纯晶圆代工厂台积电创立, 这期间半导体公司多采用 IDM 的经营模式。

究其原因,这期间的半导体产品尚处于成形阶段,设计和工艺的依存度较高。

复盘半导体产业发展史,我们可以发现,1947-1987 年间,众多对后续产业发展起 到关键作用的半导体结构、工艺和产品陆续涌现,并不断完善着半导体作为微型化、低 成本、自动化的计算设备的产业根基。

例如,相比于最初的点接触晶体管,1948 年提出的结型晶体管凭借更优异的性能和 更适合于规模化制造的特性,成为了后来各类半导体产品的基础;扩散(1952 年)、光 刻(1955 年)、外延(1960 年)、离子注入(1962 年)、沉积(CVD(1950s)、PVD(1966)) 也在上述年限期间陆续被发明、提出或应用,并构成了半导体制造工艺的基本要素;1959 年,Jean Hoerni 发明的全新平面工艺,至今依然是半导体多层平面加工的基本思路;1959年,贝尔实验室的 Dawon Kahng 和 Martin M.Atalla 发明了 MOSFET,这是集成电路、 分立器件的基本构成单元;1959 年,德州仪器的 Jack Kilby 和仙童公司的 Robert Noyce 分别发明了锗和硅的集成电路;

1963 年,仙童公司的 Frank M.Wanlass 和 C.T.Sah 首次 提出 CMOS 电路技术,构成了逻辑电路的基础;1963 年,仙童公司 Robert Widlar 设计 了第一颗集成运算放大器电路 μA702,开启了模拟电路的发展历程;1967 年,贝尔实验 室的 Dawon Kahng 和 Simon Sze 共同发明了非挥发存储器,它是 EPROM、EEPROM 和 Flash 的基础;1968 年,IBM 的 Robert H.Dennard 发明了 DRAM,它后来成为了内存的 标准形态;1979 年,通用电气的 B. Jayant Baliga 在论文中提出了 IGBT 的构想,这为后 来高频、高压电力电子应用的实现奠定了基础;1980 年,东芝公司的 Fujio Muoka 发明 了 NOR Flash,1987 年,他又发明了 NAND Flash,现已成为非易失性固态存储广为应 用的技术。

至此,如今司空见惯的半导体产品的基本结构和制造工艺方才基本成形,在此过程 中,结构的设计和工艺的加工是半导体产品开发的一体两面,这一特征在半导体产业初 期体现地尤为显著。例如,结型晶体管的开发过程中,PN 结的制备离不开掺杂工艺, 而晶体管则演化成了后来逻辑、模拟、存储器、分立器件等各类半导体产品;MOSFET 的开发则是基于扩散、氧化、沉积、光刻、腐蚀等工艺,通过金属-氧化物-半导体的组 合成功克服了半导体的表面态,实现了绝缘栅场效应晶体管结构;集成电路的开发更是与平面工艺、特别是光刻工艺相辅相成。这种设计与工艺互相依存的特征,决定了早期 半导体公司需要将设计和工艺能力整合起来开发新的产品,因此,IDM 模式是当时的 主流。

2、众多半导体公司涌现,Fabless是降本增效之选

1980-2010 年是半导体产品类公司创立的井喷期,Xilinx、高通、英伟达、联发科等 半导体公司相继成立,根据 Wind 的数据,1970 年代初创的半导体产品公司为 11 家, 1980 年代初创的半导体产品公司达 65 家,这一数据在 1990 年代飙升至 189 家,并在 2000 年代继续增长至 210 家。

伴随着半导体公司数量的增加,同样增加的还有配套晶圆制造产线的建设成本。 1975 年,晶圆制造产线的建设成本不到 1 亿美元,1985 年该成本已达 2 亿美元,而 1995 年该成本已飙升至 10 亿美元。2000 年代末至 2010 年代初,即使是索尼、英飞凌等大型 半导体公司,也难以负担先进晶圆制造产线的投资和制程的升级。

因此,自 1980 年代以来,初创的半导体产品公司已基本无力承担晶圆制造产线建 设、维护和升级的庞大资本支出。

其实,与寻求晶圆制造代工的 Fabless 相比,即使初创的半导体产品公司成功投建 了晶圆制造产线(成为 IDM),并且自身产品的出货量能够支撑晶圆制造产线达到足够 的产能利用率,其产品也很难在短期构建起成本竞争力。从理论上而言,IDM 与 Fabless 的关系,可粗略地类比为买断产能和租赁产能的区别,考虑二者的投片成本和投片次数 的关系可知,在初期(Tn 之前),IDM 的投片成本更高,产品的成本竞争力较 Fabless 更弱。而随着晶圆制造产线的投建成本逐渐攀升(Cn逐渐增大),IDM 较 Fabless 形成 成本竞争优势的时间也在逐渐拉长(Tn逐渐增大)。

反观走晶圆制造代工路线的 Fabless 公司,通过将晶圆制造环节外包,可以显著降 低公司的启动成本。同时,随着半导体制程的升级,芯片的设计成本也在逐年递增, Fabless 公司可以将有限的资源投入到半导体的 IP、架构、验证等设计环节,从而实现 整体的降本和增效。这一点在后来的 AMD 及其处理器产品的市场表现上得到了很好的 验证:2017 年,AMD 发布了全新的 Zen 架构、由格芯代工的 14nm 的第一代锐龙处理 器和第一代霄龙处理器,2019 年,AMD 发布了 Zen2 架构、由台积电代工的 7nm 第三 代锐龙处理器和第二代霄龙处理器,凭借优异的产品设计和代工厂提供的领先的制程工 艺,AMD 的产品竞争优势十分显著,市场份额快速提升。

此外,早期的半导体产品复杂度有限,公司能够独立完成从底层到顶层的电路设计。 而随着从 IC、LSI、VLSI 到 ULSI,集成电路规模不断增加,半导体产品的复杂度显著 提升。用预先设计好并经过验证的模块来构建复杂的电路系统,逐渐成为集成电路设计 方法学的重要思路,并促进了 IP 的诞生。

IP 即经过验证的、可复用的设计模块,1980 年代,Mentor、Synopsys、Cadence 等 一系列 EDA 公司创立,他们同时也提供 IP 服务,1980-1990 年代,Imagination、ARM、 CEVA 等一系列纯 IP 公司也涌现出来。IP 的开发和复用,使得设计环节化繁为简:冗 余的设计成本得以缩减,开发周期得以缩短,产品开发的成功率也得以提升。这从一定 程度上降低了半导体产品设计的壁垒,为 Fabless 公司的涌现提供了更加友好的产业生 态。同时,IP 可以移植到不同的半导体工艺之中完成制造,这进一步加剧了半导体设计 与工艺环节的分野,也为 Foundry 的出现埋下伏笔。

3.半导体生产规模扩大,Foundry应运而生

自 1947 年晶体管发明以来,其在工作原理、材料、结构、功能和集成/分立形式等 方面不断丰富和完善,大体而言,晶体管主要起到电流通断、信号放大和功率控制(开 关和电压、电流控制)的功能,基于电流通断的功能,晶体管逐渐衍生出逻辑电路,而 基于信号放大和功率控制的功能,晶体管分别衍生出模拟电路和分立器件。复盘三者的 发展脉络可以发现,逻辑电路的升级表现为:在关键节点上晶体管在器件结构层面的创 新,以及晶体管在集成度层面的创新,而在大多数时间里,晶体管集成度的创新对逻辑 电路的升级起到了主导作用。模拟电路的升级表现为:由晶体管、电阻、电容构成的电 路结构的创新。分立器件的升级表现为:晶体管在器件结构层面的创新。而在逻辑电路 领域,正是半导体产业升级从器件结构层面逐步延伸至集成度层面,为半导体工艺的标 准化奠定了基础。

以 PC 为代表的终端应用加速渗透,带动了半导体产品出货量的 增加。特别是在逻辑电路领域,以处理器为代表的半导体产品用量巨大,相应地,其生 产规模也不断扩张。在此过程中,由于标准化的半导体工艺有助于控制生产成本、优化 研发流程,推进半导体产品公司的降本和增效,因此,半导体工艺逐渐趋于标准化,在 以集成度升级为推动力的逻辑电路领域,出现了以标准 CMOS 工艺为代表的集成电路 工艺。而标准化的半导体工艺,也逐渐形成了晶圆制造代工的基础。

在以逻辑芯片为代表的半导体产品领域,随着生产规模的扩张,晶圆制造代工模式 的规模效应开始显现。对于 IDM 和采用纯晶圆代工模式的 Foudry 而言,在其他条件(例 如,设备、材料的成本相同,生产晶圆的售价相同)均一致的假设下,二者的效益与各 自的生产规模直接相关。在 E 点之前,全市场委外生产的规模小于 IDM 的生产规模, 那么同样建设一条晶圆制造产线,IDM 的规模效应优于 Foundry,产品更具成本优势。 而在 E 点之后,由于半导体产品出货量的增加,叠加 Fabless 公司的涌现,若干家 IDM 难以满足全市场的生产需求,而 Foundry 则可以灵活对接全市场的生产订单,因此,同 样投建一座晶圆厂,Foundry 的规模效应更强,其生产的平均成本比 IDM 更低,因而 更具市场竞争力。

1987 年,全球首家 Foundry---台积电应运而生,当时,台积电拥有一条 6 英寸晶圆 制造产线,使用 3μm 制程。1988 年,英特尔 CEOAndrew Grove 造访台积电,并与台积 电展开合作,由台积电为英特尔生产部分处理器和芯片组产品。此后,台积电在晶圆代 工市场持续突破:1998 年英伟达开始使用台积电 0.35μm 制程生产处理器产品,2004 年 台积电成功研发 0.13μm 系统单芯片铜/低介电系数制程技术、2007 年与 ASML 合作成 功推出第一台浸没式光刻机、2011 年基于后闸级技术路线率先成功推出 28nm 制程、 2014 年独家代工苹果 A8 芯片,2018 年率先推出 7nm 制程,并在此后的各代制程的量 产上保持领先。根据 IC Insight 的数据,2020 年底,台积电晶圆代工产能约 270 万片/月, 占全球晶圆产能的 13.1%,位居全球第二位,作为参考,IDM 英特尔的晶圆产能约 88.4 万片/月,占全球晶圆产能的 4.2%。根据 Trend Force 的数据,2021 年第二季度,台积电 在全球晶圆代工市场市占率达 52.9%(营收口径计),位居全球首位。

同时,相比传统 IDM 模式,Fabless+Foundry 的分工模式具备显著的正反馈效应: 对 Foundry 而言,Fabless 生产订单的填充使代工厂具备规模效应,摊薄单位成本,进而 能获取更多 Fabless 的生产订单;对 Fabless 而言,Foundry 的生产成本降低,降低了 Fabless 的进入门槛,进而催生了更多 Fabless 公司。

结语

目前来看,Fabless和Foundry的风头盖过了IDM,主要是因为增长率最高的企业里边,大都是Fabless和Foundry,相对而言,IDM要弱一些,但这并不是说IDM就不行了,从营收增长率25强榜单也可以看出,大部分还是IDM,无论是从数量,还是整体规模上看,都仍然相当可观,只是它们不再像多年前那样处在舞台中央,取而代之的是Fabless和Foundry。

文章来源: 半导体行业观察,未来智库

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