国内晶圆代工一哥中芯国际养了4年的小号中芯集成集成电路制造股份有限公司（以下简称：中芯集成）终于要出新手村，申报科创板了。

中芯集成近220亿加码半导体项目

资料显示，中芯集成不仅是国内知名的特色工艺晶圆代工企业，同时也是国内少数提供车规级IGBT芯片的晶圆代工企业之一，主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务。其产品被广泛应用于应用领域覆盖智能电网、新能源汽车、风力发电、光伏储能、消费电子、5G 通信、物联网、家用电器等行业。

截至本招股说明书签署日，中芯集成第一大股东为越城基金，持股比例为 22.70%，第二大股东中芯控股为中芯国际全资子公司，持股比例为19.57%。

根据招股说明书（申报稿）显示，中芯集成本次拟向社会公开发行不超过16.92亿股股份，计划募集资金125亿元，实际募集资金扣除发行费用后的净额计划投入MEMS和功率器件芯片制造及封装测试生产基地技术改造项目、二期晶圆制造项目、以及补充流动资金。值得一提的是，上述项目的总投资额高达219.04亿元。

其中，MEMS和功率器件芯片制造及封装测试生产基地技术改造项目计划投资总额65.64亿元，拟使用募集资金投入15亿元，将生产能力由月产4.25万片晶圆扩充至月产10万片晶圆。

二期晶圆制造项目计划总投资达110亿元，拟使用募集资金66.6亿元，计划建成一条硅基8英寸晶圆加工生产线，目前，该项目已经开工建设，计划于2022年8月设备搬入，于2022年10月试生产，于2023年达产。项目建成后将新增月产7万片产能。

中芯国际开小号练手射频滤波器技术

中芯集成是中芯国际的小号，其核心技术及核心技术人员有深厚的中芯国际烙印。

公司核心技术分为MEMS晶圆代工、IGBT晶圆代工、MOSFET晶圆代工和模组封测四大类，除了模组封测核心技术公司自研，其他三类器件类核心技术的一代均由中芯国际授权获得，二代技术则由公司自研而得。

参照晶合集成等公司上市经历来看，核心技术来源及先进性、中芯国际在中芯集成技术形成中所起的作用等问题将成为交易所问询的重点。当然考虑到中芯国际与中芯集成均为中国公司，中芯国际拥有中芯集成的股权，诸多原因之下，中芯集成与中芯国际这种技术上的合作是稳定的，不会像CPU企业海光信息与AMD的X86架构合作关系那样，我们会担心某一天AMD会跑路。

中芯集成有高精度车载惯性器件研发、车载IGBT、高压IGBT等13项技术在研，笔者感兴趣的是8英寸射频滤波器技术研发，这将有望弥补国内滤波器代工的短板。

在招股书中公司还披露了重大科研项目情况，专门提到年产2万片高性能国产体声波滤波器芯片研发及产业化项目，其中体声波滤波器就是大名鼎鼎的BAW滤波器，在5G时代将成为高频段最重要的滤波器。目前BAW滤波器被美国博通和Qorvo所垄断，就算日本村田、美国Skyworks等射频器件大厂也不行。

BAW滤波器目前主要有BAW-SMR和FBAR两种技术路线，核心技术人员被扣留美国的诺思（天津）微系统是全球最早从事FBAR研究与产业化的团队之一，在天津拥有一条8英寸产线及一条工艺研发线，其FBAR技术也基于硅基MEMS技术。BAW-SMR制造工艺与集成电路类似，可采用硅薄膜工艺，在散热性能要求高的场景中比FBAR具有更强的竞争力。不过BAW-SMR结构复杂，Q值较低，无源损耗较高，因此未来其在BAW滤波器中的占比会不及FBAR。换句话说诺思的FBAR将成为未来BAW滤波器主要技术路线。

国内从事BAW滤波器设计的企业有武汉敏声等企业，其中武汉敏声在6月下旬获得近6亿元B轮融资，其与赛微电子合作开展8英寸射频晶圆代工。赛微电子原本收购了瑞典的Silex并获得MEMS代工技术及工厂，但因为众所周知的原因，目前Silex Fab1和Fab2的输入技术模式被迫中止，因此赛微电子不得不在北京Fab3厂加大研发投入，自主研发MEMS工艺，而其与武汉敏声合作的BAW滤波器也将丰富其MEMS工艺。据公开信息，武汉敏声与赛微电子合作的8英寸BAW滤波器产线将于年底通线，武汉敏声也将成为国内率先实现BAW自主量产的企业。

赛微电子BAW的量产，中芯集成的MEMS技术获得突破，加上天津诺思的业务正常推进，未来国内起码有3家企业拥有BAW滤波器代工能力，也将极大弥补滤波器代工能力太过弱鸡的短板。

全球功率器件市场需求持续攀升

晶圆代工业务是中芯集成主营业务收入主要来源，拥有一座8英寸晶圆代工厂，数据显示，2019年-2021年，其晶圆代工业务收入占主营业务收入的比例分别为92.11%、86.07%及92.09%。截至2021年12月，公司晶圆代工的月产能已达10万片。

分产品来看，功率器件在中芯集成营收结构中扮演着重要作用，2019年至2021年，其功率器件的代工收入分别为1.77亿元、3.94亿元和14.47亿元，占比分别为67.54%、54.30%和72.21%。

事实上，随着5G、新能源汽车、以及工业和智能电网等领域的快速发展，以及在“碳中和”概念的提出，全球IGBT等功率器件市场需求持续攀升，此外，在新能源汽车的推动下，新能源汽车充电桩也随之成为功率器件另一大增量。

据中国汽车充电基础设施促进联盟的统计，2016年至2021年，我国公共充电桩和专用充电桩的保有量由5.88万个增长至114.70万个，呈爆发式增长，同步带动了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市场需求。

以IGBT为例，有数据显示，2020年全球IGBT市场规模为54亿美元，业界预测，2026年市场规模将达到84亿美元，2020-2026年均复合增长率为7.6%。

国内厂商加速破局

目前，英飞凌、安森美、德州仪器、意法半导体、安世半导体等国外企业占据了全球功率器件大部分市场。然而，华虹半导体、华润微、时代电气、比亚迪半导体等国内众多厂商都开始抢抓市场机遇，纷纷布局。

其中，时代电气和比亚迪半导体的经营模式以IDM为主，从芯片设计到电控系统均有所布局。

时代电气建有8英寸IGBT产业化基地，IGBT二期芯片产线于2021年年底正式投产。其IGBT在轨交、电网领域批量交付，占有率国内第一。

比亚迪半导体作为新能源车规IGBT的主要厂商之一，主要以车规级半导体为核心，同步推动工业、家电、新能源、消费电子等领域的半导体业务发展。目前，其已经开始积极布局新一代IGBT技术。2021年12月，比亚迪半导体基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技术已实现量产。

华润微同样以IDM模式为主，产品聚焦于功率半导体等领域，拥有多个功率器件自主品牌，主要产品包括以MOSFET、IGBT为代表的功率半导体产品和以光电传感器、烟报传感器、MEMS传感器为主的智能传感器以及MCU等。

2021年度，华润微功率器件事业群销售收入实现突破性增长，同比增长35%，其中，MOSFET产品销售收入同比增长33%，IGBT产品销售收入同比增长57%。与此同时，自主研发的平面型1200V SiC MOSFET进入风险量产阶段，自主研发的第一代650V硅基氮化镓D-mode器件样品进入转量产阶段；自主研发的第一代650V硅基氮化镓E-mode器件性能达标，器件封装开发完成。

华虹半导体主要专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺制造平台。目前，华虹半导体已与斯达半导体联手实现了12英寸车规级IGBT的量产，并且相关产能还在持续扩张。

为加强其在晶圆代工领域特色工艺的市场地位，6月29日，华虹半导体还在港股公告，将向其子公司华虹无锡增资1.78亿元。此外，据无锡高新区商务局近日透露，华虹半导体的另一子公司华虹宏力12英寸平台累计出货已达100万片。

近年来，通过大力研发与外延并购，我国在芯片设计与工艺上不断积累。目前，我国功率器件产业链日趋完善，相应技术不断取得突破，同时，中国拥有全球最大的功率器件消费市场。未来，随着国家政策的推动及半导体产业重心向中国的转移，中国功率半导体行业有望率先实现国产替代，进入高速发展的黄金时期。

文章来源： 阿尔法经济研究，全球半导体观察