Intel今天宣布了全新的工艺路线图，一个最核心的变化就是改名：10nm Enhanced SuperFin改名为Intel 7，7nm改名为Intel 4，未来还有Intel 3，以及全新晶体管架构的Intel 20A、Intel 18A。

Intel是坚定的摩尔定律捍卫者，尽管每代工艺的技术指标是最强的，但在进度上确实已经落后于台积电、三星，现在量产了10nm工艺，台积电已经是第二代5nm工艺了，明年还有3nm工艺。

工艺命名上始终落后对手，对Intel来说宣传很不利，早前网友调侃说Intel应该把10nm改成7nm，毕竟他们的晶体管指标确实达到甚至超过了台积电7nm的水平，没想到这个调侃成真，Intel这次真的改名了，但改的方式也有点独特。

Intel表示，此前的工艺节点命名规则始于1997年，都是以实际的栅极宽度来定义（xxnm），但是近些年来，工艺命名和栅极宽度已经不匹配，因此Intel启用了新的命名方式，便于产业、客户、消费者理解。

此前的10nm Enhanced SuperFin工艺改为Intel 7。

对，没有7nm字样，官方就叫做Intel 7，你当7nm也行，但Intel没明确说是7nm，这次就是改了，但又没改。

Intel 7工艺号称能耗比相对于10nm SuperFin提升大约10－15％，今年底的Alder Lake 12代酷睿首发，明年第一季度还有Sapphire Rapids四代可扩展至强。

Intel 4工艺全面引入EUV极紫外光刻，能效比再提升大约20％，明年下半年投产，2023年产品上市。

首发消费级产品是Meteor Lake，已在今年第二季度完成计算单元的六篇，数据中心产品则是Granite Rapids。

Meteor Lake预计将隶属于14代酷睿家族，它之前还有一代Raptor Lake，后者也是Intel 7工艺。

Meteor Lake此前官方也披露过，计算模块（Compute Tile／Compute Die）也就是CPU内核部分今年第二季度完成流片，首次在桌面采用Foveros混合封装。

按照Intel披露的最新信息，Foveros将具备晶圆级的封装能力，史上第一次提供3D堆叠解决方案，不同IP模块可以使用不同工艺，封装凸点间距（bump pitch） 36－50微米。

Meteor Lake上用的Foveros封装技术已经是第二代，之前首发的是Lakefield，也是大小核混合架构的尝鲜之作。

根据最新公布的示意图，Meteor Lake主要有三个部分封装在一起，一是计算模块，二是GPU模块，多达96－192个计算单元，三是SoC－LP，应该是包含内存控制器、PCIe控制器等输入输出部分，类似AMD锐龙／霄龙里的IO Die。

另外，Meteor Lake的热设计功耗范围是最低5W、最高125W，这也和当下的产品线保持基本一致，Alder Lake 12代酷睿在移动端最低就可以做到5W，而这在以往都是Atom低功耗架构才能达成的。

PS：Intel Xe HPC高性能计算架构的Ponte Vecchio计算卡，也会使用第二代Foveros封装，同时还有EMIB封装，首次综合使用。

今天的会议上，Intel还首次展示了Meteor Lake的测试晶圆，除了新工艺还有Foveros 3D立体封装。

这一代，也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片，引入不同工艺、不同IP的模块，借助新的封装技术，整合在一起。

再往后，Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV，能效比继续提升大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。

它也是最后一代FinFET晶体管，2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。

之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是Intel 20A，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。2024年投产。

接下来是Intel 18A，预计2025年初投产，继续强化RibbonFET，还有下一代高NA EUV光刻，与ASML合作。

RibbonFET晶体管

PowerVia

传统晶圆（左）、Powervia晶圆（右）供电和信号走线对比：图片上方对应晶圆前侧

Intel之前认为EUV极紫外工艺不够成熟，现在EUV光刻工艺已经量产几年了，Intel也开始跟进了，原先的7nm工艺、现在的Intel 4工艺会是全面使用EUV光刻机的开始，首款产品是Meteor Lake，2023年发布。

之后的Intel 3工艺、Intel 20A工艺上也会持续利用EUV工艺，进一步提升性能及能效。

再往后Intel还会积极跟进EUV技术发展，2025年之后的工艺已经规划到了Intel 18A，将使用第二代RibbonFET晶体管，EUV光刻机也会有一次重大升级。

Intel表示致力于定义、构建和部署下一代High－NA EUV，有望率先获得业界第一台High－NA EUV光刻机。

Intel目前正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。

这就意味着Intel很有可能首发下一代EUV光刻机，NA数值孔径从目前的0．33提升到0．5，这是ASML的NXE：5000系列，之前预计是在2023年问世，现在推迟到了2025－2026年，单台售价预计将超过3亿美元，差不多人民币20亿一台。

Intel为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥，现在可以说是拼了老命了，对玩家来说这倒是好事，以往的带头大哥回来了。

其实，Intel这次推出的工艺不仅仅是改名那么简单，有一件事非常值得关注，那就是Intel要率先从纳米时代进入埃米时代（Ångstrom，1纳米等于10埃米），这就是Intel预计2024年推出的Intel 20A工艺，其中的A就指的是埃米。

到了埃米时代，20A工艺有两大革命性新技术，RibbonFET及PowerVia，前者就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。

现在20A工艺的具体细节还没公布，但从字面意义上来看，20A差不多是2nm工艺的水平，倒也符合3nm之后的摩尔定律进步。

20A工艺之后还有18A工艺，除了继续改进RibbonFET及PowerVia技术之外，Intel预计还会首发NA 0．55的下一代EUV光刻机。

如果用一句话解释Intel的目标，那就是CEO基辛格日前在媒体采访中的表态——在2024年到2025年间，Intel将重返半导体技术领先地位，没明说的言外之意就是要超越三星、太台积电，同时确保美国在半导体技术上的地位无可动摇。

对了，除了全新路线图之外，Intel的IFS代工业务也收获了一个重要客户，高通将使用Intel的代工服务，这还是开天辟地头一次，Intel重整代工业务以来这是目前最大、最重要的客户。

不过大家看到Intel生产的高通芯片还很遥远，因为高通使用的是Intel未来的Intel 20A工艺，至少要到2024年才能量产，不跳票的话还得等上3年时间。

同时，亚马逊会第一个和Intel在封装方面进行合作，也是代工客户之一。

另外，Intel还宣布，将于10月27－28日，在旧金山，举办一场名为“Intel Innovation”的技术活动，线下线上同步，话题涉及AI、5G、边缘、云、PC等领域，其中包括新产品的新动态。

从这个时间节点上看，届时有极大概率Intel会正式宣布12代酷睿，至少是纸面宣布，然后赶在年底开始陆续上市。

综合此前消息，12代酷睿年底只会有一批K系列解锁版，包括i9 K 8＋8核心、i7 K 8＋4核心、i5 K 6＋4核心，集成Xe架构、32个单元的UHD核芯显卡，热设计功耗125W、短时睿频功耗最高228W。

旗舰型号将是i9－12900K，8大8小16核心，其中大核全核最高5．0GHz、单核最高5．3GHz，小核全核最高3．7GHz、单核最高3．9GHz，另有三级缓存30MB，多线程性能已可媲美16核心的锐龙9 5950X。

i7－12700K 8大4小12核心，大核全核最高4．7GHz、单核最高5．0GHz，小核全核最高3．6GHz、单核最高3．8GHz。

i5－12600K 6大4小10核心，大核全核最高4．5GHz、单核最高4．9GHz，小核全核最高3．4GHz、单核最高3．6GHz。

按照官方说法，Intel 7工艺会带来10－15％的能效比提升，下一代可扩展至强Sapphire Rapids也会用它。