最近设计的几款芯片，都因为出光角过大被砍了，特别对于multiple Emitter的激光芯片。

Emitter就是有电流注入地方，也就是发光条。发光条离得近，会导致热聚集，因此从散热角度来看，Emitter距离远一点好，但是从封装和应用的人来看，离得近的好，最好是一个Emitter就可以发个好几瓦的光。

挖局一下网上资源，看看别人家如何设计的。

这一款就有点像日立的芯片了，腔长1500um，宽度400um，Emitter 75um，二者间距约150um。

在来看下激光器的快轴和慢轴的定义

激光芯片的出光快轴和慢轴是针对Far－field来说的，也就是激光器的远场。

快轴是垂直于激光芯片正表面的，慢轴是平行于芯片表面的。也可以叫长的是垂直⊥，短的是平行∥。

一般快轴的发散角大于慢轴，如上图，大功率的激光芯片，快轴的发散角基本上是慢轴的3倍以上。

对于更多的Emitter芯片，Emitter也较区域中心，可能和封装有关吧。

这个图就比较直观一点

所以到底Emitter的间距放大多少合适呢，一曰我放多少你用多少。