作为先进封装工艺之一，三维互连技术得到全球多家半导体集成制造商、新兴技术开发商、研究所和技术联盟的研究和开发，开发方向包括设计测试、多尺寸穿孔技术、制造工艺、静电保护、材料选择等。

三维互连（3D TSV）又称为垂直互连、硅通孔等，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV技术是先进封装的关键技术，可分为2．5D TSV和3D TSV，3D TSV具有低延迟、高密度集成、器件运行频率高、寄生效应少、降低生产成本等特点，其被认为是继引线键合、载带键合、倒装芯片之后的第四代封装技术。

作为先进封装工艺之一，三维互连技术得到全球多家半导体集成制造商、新兴技术开发商、研究所和技术联盟的研究和开发，开发方向包括设计测试、多尺寸穿孔技术、制造工艺、静电保护、材料选择等。同时为满足不同设计需求和应用背景，三维互连技术与其他新兴技术联合成为了研究的新热点。

根据新思界产业研究中心发布的《2022－2027年三维互连（3D TSV）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，目前三维互连技术主要应用在高端领域，全球三维互连方案供应商有台积电、三星电子、英特尔、华进半导体、美光电子、IMEC、格罗方德、联华电子等，欧美企业具有先发、技术、研发等优势，其三维互连技术处于全球领先水平。

三维互连工艺包括通孔形成、特殊晶片制作、通孔的金属化、TSV键合等。根据器件结构制造顺序不同，通孔可分为先通孔技术、中通孔技术、后通孔技术等，其中先通孔是指在制备IC时同时通孔，后通孔是指在制备IC后通孔。在通孔加工技术上，主要方法有干法刻蚀、湿法刻蚀、激光打孔三种，其中干法刻蚀是最常用的通孔加工技术。

受技术限制，目前三维互连技术各工艺环节仍存在较大技术挑战，未来仍需企业和机构进一步探索改进。三维互连技术主要应用在三维集成结构中，广泛应用在5G通信、人工智能、消费电子、汽车、航天航空、数据中心、物联网、国防军工等领域。三维互连技术是实现封装器件小型化、高密度、多功能化的核心技术，在电子产品小型化、轻量化、多功能发展背景下，三维互连技术应用前景较好。

新思界行业分析人士表示，三维互连技术是第四代封装技术，主要应用在三维集成结构中，在5G时代下，电子产品小型化、多功能化发展趋势显现，三维互联技术应用前景可期。目前三维互连技术主要应用在高端领域，其实现大规模应用仍面临较大的技术难题，未来仍需研究人员不断深入探索。